[發明專利]低成本帶電平補償的多路電壓信號自動選高電路

有效

• 申請號: 201010612903.7
• 申請日: 2010-12-29
• 公開（公告）號: CN102545293A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 王立龍;黃從朝
• 申請（專利權）人: 華潤矽威科技（上海）有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 郭蔚

1.低成本帶電平補償的多路電壓信號自動選高電路，其特征在于，包含：

至少第一、第二兩個輸入管，所述第一、第二輸入管接成一源極跟隨器，若干個輸入信號分別與所述第一、第二輸入管的柵極相連，所述第一、第二輸入管的源極連接到同一個輸出端節點；

一電平移位單元，包括一個柵極和漏極相連的第五NMOS晶體管，其源極接到所述輸出端節點，其柵極和漏極接到輸出；

一偏置電路，包括一電流源、第六、第七NMOS晶體管，第一、第二、第三、第四PMOS晶體管，其中，所述第四NMOS晶體管的漏極連接所述輸出端節點，所述第四NMOS晶體管的源極和襯底都接地，其柵極接一節點，第六、第七NMOS晶體管與第五NMOS晶體管相匹配，第一PMOS晶體管與第二PMOS晶體管相匹配，第三PMOS晶體管和第四PMOS晶體管相匹配。

2.根據權利要求1所述的低成本帶電平補償的多路電壓信號自動選高電路，其特征在于，所述電路進一步包括第三輸入管，所述第三輸入管與所述第一、第二輸入管組成所述源極跟隨器，一輸入信號與所述第三輸入管的柵極相連，第三輸入管的源極連接到所述輸出端節點。

3.根據權利要求1或2所述的低成本帶電平補償的多路電壓信號自動選高電路，其特征在于，

所述輸入管是NMOS晶體管。

4.根據權利要求3所述的低成本帶電平補償的多路電壓信號自動選高電路，其特征在于，

所述第一～第四PMOS晶體管構成一cascode鏡像電流結構，第一PMOS晶體管和第三PMOS晶體管是兩個串聯的柵極漏極短接的PMOS晶體管，而第二PMOS晶體管和第四PMOS晶體管作為所述電平移位單元的偏置電流，所述第一、第二PMOS晶體管源極，所述第一至第四PMOS晶體管的襯底都接到一電源。

5.根據權利要求1所述的低成本帶電平補償的多路電壓信號自動選高電路，其特征在于，

所述源極跟隨器的若干個NMOS晶體管與所述電平移位單元的第五NMOS晶體管是相互交叉匹配的。