[發(fā)明專利]用于陣列波導(dǎo)光柵芯片的切縫方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010612213.1
• 申請(qǐng)日: 2010-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102081192A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬衛(wèi)東;吳凡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢光迅科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G02B6/12
• 分類號(hào): G02B6/12
• 代理公司: 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201
• 代理人: 杜文茹

1.一種用于陣列波導(dǎo)光柵芯片的切縫方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)芯片開(kāi)槽：首先設(shè)定AWG芯片(1)有圖形的一面為正面，在預(yù)備切縫的AWG芯片(1)切縫位置處的背面，用刀片開(kāi)一個(gè)第一凹槽(5)，所述第一凹槽(5)位置為AWG芯片羅蘭圓或陣列波導(dǎo)或者輸入輸出波導(dǎo)處背面，對(duì)應(yīng)于AWG芯片切縫位置；

2)芯片粘接：將開(kāi)完凹槽的芯片(1)粘接在一塊基板(2)上，所述基板材料的熱膨脹系數(shù)小于芯片的熱膨脹系數(shù)；

3)芯片切縫：在所述第一凹槽(5)所對(duì)應(yīng)的芯片的正面，采用刀片對(duì)芯片表面沿著第一凹槽(5)中間位置的平行方向進(jìn)行切縫，形成表面細(xì)縫(3)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于陣列波導(dǎo)光柵芯片的切縫方法，其特征在于，所述的第一凹槽(5)的深度是芯片厚度的L倍，其中，1/10＜L＜1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于陣列波導(dǎo)光柵芯片的切縫方法，其特征在于，所述的第一凹槽(5)的槽寬度大于芯片切縫縫寬。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于陣列波導(dǎo)光柵芯片的切縫方法，其特征在于，所述的第一凹槽(5)的最佳槽寬度是500～1500um。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于陣列波導(dǎo)光柵芯片的切縫方法，其特征在于，所述的第一凹槽(5)的深度與第一凹槽(5)的寬度之比為M∶N，其中1＜M＜5，5＜N＜10。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于陣列波導(dǎo)光柵芯片的切縫方法，其特征在于，所述的基板(2)的材料是硅片或者玻璃片或者陶瓷片或者金屬片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于陣列波導(dǎo)光柵芯片的切縫方法，其特征在于，所述的基板(2)上在與所粘接的AWG芯片(1)上的細(xì)縫(3)相對(duì)應(yīng)處開(kāi)有一個(gè)第二凹槽(6)，所述第二凹槽(6)與所述第一凹槽(5)上下相對(duì)平行設(shè)置，且第一凹槽(5)位于第二凹槽(6)的中間部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于陣列波導(dǎo)光柵芯片的切縫方法，其特征在于，所述的芯片(1)上表面的細(xì)縫(3)位置處覆蓋并且粘接有蓋片(4)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于陣列波導(dǎo)光柵芯片的切縫方法，其特征在于，所述的蓋片(4)是玻璃蓋片或者是硅片。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于陣列波導(dǎo)光柵芯片的切縫方法，其特征在于，步驟3中所述的在芯片(1)正表面上所切的縫還包括是具有一定傾斜角度的細(xì)縫(3″)，所述的細(xì)縫(3″)的角度是0-90°范圍內(nèi)的任一傾斜角度。