[發(fā)明專利]一種非易失存儲器的擦除方法和裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010612080.8
• 申請日: 2010-12-29
• 公開（公告）號: CN102543195A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇志強;舒清明
• 申請（專利權(quán)）人: 北京兆易創(chuàng)新科技有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 蘇培華

1.一種非易失存儲器的擦除方法，其特征在于，包括：

擦除：對目標(biāo)塊中的各個存儲單元進行擦除操作；

第一軟編程校驗：校驗?zāi)繕?biāo)塊中存儲單元的閾值電壓是否均大于零；若是，則執(zhí)行擦除校驗步驟；若否，則執(zhí)行第一軟編程步驟；

第一軟編程：通過對所述目標(biāo)塊中的存儲單元進行軟編程操作抬升所述存儲單元的閾值電壓，并返回第一軟編程校驗步驟；

擦除校驗：驗證目標(biāo)塊中各個存儲單元的閾值電壓是否均小于擦除狀態(tài)的閾值電壓上限；若是，則結(jié)束操作；若否，則返回擦除步驟。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述擦除步驟之前還包括：

預(yù)編程：對目標(biāo)塊中的各個存儲單元進行預(yù)編程操作。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述預(yù)編程操作具體為：

對目標(biāo)塊中的各個存儲單元的字線施加正電壓，將各個存儲單元的閾值電壓提升至第2ⁿ狀態(tài)對應(yīng)的閾值電壓范圍內(nèi)；

其中，所述存儲單元存儲n位數(shù)據(jù)，共有2ⁿ種狀態(tài)，第2ⁿ狀態(tài)對應(yīng)的閾值電壓下限大于其余狀態(tài)對應(yīng)的閾值電壓上限。

4.如權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于，在所述第一軟編程校驗步驟中，校驗各個存儲單元的閾值電壓均小于擦除狀態(tài)的閾值電壓上限之后，還包括：

第二軟編程校驗：校驗選中字線上的存儲單元的閾值電壓是否均大于擦除狀態(tài)的閾值電壓下限；若是，則選中下一字線進行驗證，直到驗證完所有字線上的存儲單元，結(jié)束操作；若否，則執(zhí)行第二軟編程步驟；

第二軟編程：通過對當(dāng)前選中字線上的存儲單元進行軟編程操作抬升所述儲單元的閾值電壓，并返回第二軟編程校驗步驟。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一軟編程校驗步驟包括：

將各個存儲單元的字線上施加的電壓置為零；

依次檢測各個存儲單元漏極上的漏電流；如果漏電流大于等于第一參考電流，則該存儲單元的閾值電壓小于等于零；如果漏電流小于第一參考電流，則該存儲單元的閾值電壓大于零。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述擦除校驗步驟中，依次選中每一字線，對該字線上的各個存儲單元進行驗證，具體包括：

對選中的字線施加正電壓；

對未選中的字線將其電壓置零；或者，對未選中的字線施加小于或者等于所有未選中的存儲單元的最小閾值電壓的電壓；

依次檢測各個存儲單元漏極上的漏電流；如果漏電流大于第二參考電流，則該存儲單元的閾值電壓小于擦除狀態(tài)的閾值電壓上限；如果漏電流小于等于第二參考電流，則該存儲單元的閾值電壓大于等于擦除狀態(tài)的閾值電壓上限；

其中，第二參考電流小于第一參考電流。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二軟編程校驗步驟包括：

對選中的字線施加正電壓；

對未選中的字線將其電壓置零；或者，對未選中的字線施加小于或者等于所有未選中的存儲單元的最小閾值電壓的電壓；

依次檢測各個存儲單元漏極上的漏電流；

如果漏電流大于等于第三參考電流，則該存儲單元的閾值電壓小于等于擦除狀態(tài)的閾值電壓下限；如果漏電流小于第三參考電流，則該存儲單元的閾值電壓大于擦除狀態(tài)的閾值電壓下限；

其中，第三參考電流小于第一參考電流且大于第二參考電流。

8.一種非易失存儲器的擦除裝置，其特征在于，包括：

擦除模塊，用于對目標(biāo)塊中的各個存儲單元進行擦除操作；

第一軟編程校驗?zāi)K，用于校驗?zāi)繕?biāo)塊中存儲單元的閾值電壓是否均大于零；若是，則觸發(fā)擦除校驗?zāi)K；若否，則觸發(fā)第一軟編程模塊；

第一軟編程模塊，用于通過對所述目標(biāo)塊中的存儲單元進行軟編程操作抬升所述存儲單元的閾值電壓，之后觸發(fā)第一軟編程校驗?zāi)K；

擦除校驗?zāi)K，用于驗證目標(biāo)塊中各個存儲單元的閾值電壓是否均小于擦除狀態(tài)的閾值電壓上限；若是，則結(jié)束操作；若否，則觸發(fā)擦除模塊。

9.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，還包括：

預(yù)編程模塊，用于在所述擦除步驟之前，對目標(biāo)塊中的各個存儲單元進行預(yù)編程操作。