[發(fā)明專利]用于阻障層表面鈍化的方法和系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010609996.8 | 申請日： | 2007-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN102061470A | 公開（公告）日： | 2011-05-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 耶茲迪·多爾迪;約翰·博伊德;弗里茨·雷德克;威廉·蒂;蒂魯吉拉伯利·阿魯娜;衡石·亞歷山大·尹 | 申請（專利權）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分類號： | C23C28/00 | 分類號： | C23C28/00;C23C8/36;C23C8/02;C23C8/80;H01L21/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人： | 周文強;李獻忠 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 阻障 表面 鈍化 方法 系統(tǒng) | ||
【權利要求書】：
1.一種在過渡金屬阻障層或過渡金屬化合物阻障層上沉積填隙銅層用于集成電路金屬化以便在其間產(chǎn)生基本上不含氧的界面的方法，包括：
(a)在基板的表面形成該阻障層；
(b)在該阻障層上形成可除去的鈍化表面；
(c)從該阻障層上除去該鈍化表面；以及
(d)在該阻障層上沉積該填隙銅層；
其中形成該可除去的鈍化表面是通過對該阻障層施加包含元素氟、溴和碘中的至少一種的輝光放電完成的。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中除去該鈍化表面作為在該阻障層上沉積該填隙銅層的一部分發(fā)生。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，進一步包括使該阻障層的該表面富含過渡金屬。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中該阻障層包含鉭或氮化鉭。
下載完整專利技術內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于朗姆研究公司，未經(jīng)朗姆研究公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010609996.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
