[發(fā)明專利]控制等離子密度分布的設(shè)備和方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010609922.4
• 申請日: 2006-12-08
• 公開（公告）號: CN102097273A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 拉金德爾·德辛德薩;費(fèi)利克斯·科扎克維奇;路民·李;戴夫·特拉塞爾
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 周文強(qiáng);李獻(xiàn)忠

1.一種用于相對于基片控制等離子密度分布的方法，包括：

向反應(yīng)氣體施加射頻(RF)功率以在該基片頂部表面之上產(chǎn)生等離子；以及

控制經(jīng)過該多個RF功率傳輸路徑的每個傳輸?shù)腞F功率的量，其中該RF功率傳輸路徑相對于該基片的頂部表面貫穿該等離子在空間上散開，其中控制經(jīng)過特定RF功率傳輸路徑傳輸?shù)腞F功率的量使得該特定RF功率傳輸路徑附近內(nèi)的等離子密度能夠成比例地控制。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于相對于基片控制等離子密度分布的方法，進(jìn)一步包括：

在基片頂部表面之上的多個空間上散開的位置測量等離子密度；

將該測得的等離子密度與相對于該基片頂部表面限定的目標(biāo)等離子密度分布對比；以及

根據(jù)要求確定對所控制的經(jīng)過多個RF功率傳輸路徑的每個傳輸?shù)腞F功率的量的調(diào)節(jié)，以使由測得的等離子密度表示的等離子密度分布基本上匹配該目標(biāo)等離子密度分布。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于相對于基片控制等離子密度分布的方法，其中在基片頂部表面之上的多個空間上散開的位置測量等離子密度包括在該基片的不同的位置測量存在于該基片上的偏置電壓，并且將該測得的偏置電壓與在該基片頂部表面上的各自的等離子密度相關(guān)聯(lián)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于相對于基片控制等離子密度分布的方法，其中控制經(jīng)過該多個RF功率傳輸路徑的每個傳輸?shù)腞F功率的量自動執(zhí)行以保持相對于該基片頂部表面的實(shí)際等離子密度分布和目標(biāo)等離子密度分布之間的大體匹配。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于相對于基片控制等離子密度分布的方法，其中控制經(jīng)過該多個RF功率傳輸路徑的每個傳輸?shù)腞F功率的量通過控制該多個RF功率傳輸路徑的每個內(nèi)的一個或多個調(diào)諧元件來執(zhí)行，每個調(diào)諧元件是可調(diào)節(jié)電容元件或者是可調(diào)節(jié)電感元件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于相對于基片控制等離子密度分布的方法，其中將多個固定頻率的RF功率施加到該反應(yīng)氣體，該多個固定頻率的RF功率的每個可通過該多個RF功率傳輸路徑的每個獨(dú)立地控制。

7.一種用于相對于基片控制等離子密度分布的方法，包括：

將射頻(RF)功率從傳輸電極傳輸?shù)椒磻?yīng)氣體、再到多個回路電極，借此從RF功率到該反應(yīng)氣體的傳輸將該反應(yīng)氣體在基片的頂部表面轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子，由此建立從該傳輸電極到該多個回路電極的多個RF功率傳輸路徑；以及

控制該多個RF功率傳輸路徑的每個內(nèi)的多個調(diào)諧元件以控制通過該多個RF功率傳輸路徑的每個傳輸?shù)腞F功率的量，其中該多個調(diào)諧元件包括至少一個可調(diào)電容元件和至少一個可調(diào)電感元件。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于相對于基片控制等離子密度分布的方法，其中該多個回路電極電氣連接到基準(zhǔn)接地電勢。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于相對于基片控制等離子密度分布的方法，其中該RF功率傳輸路徑相對該基片的頂部表面貫穿該等離子在空間上分散。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于相對于基片控制等離子密度分布的方法，其中控制特定RF功率傳輸路徑傳輸?shù)腞F功率量使得在該特定RF功率傳輸路徑附近的等離子密度被按比例控制。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于相對于基片控制等離子密度分布的方法，控制從該傳輸電極延伸到室壁的RF功率傳輸路徑的一部分內(nèi)的該至少一個可調(diào)電容元件的一個或多個，其中室壁電氣連接到基準(zhǔn)接地電勢。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于相對于基片控制等離子密度分布的方法，控制從匹配網(wǎng)絡(luò)延伸到該傳輸電極的RF功率傳輸路徑的一部分內(nèi)的該至少一個可調(diào)電容元件的一個或多個。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于相對于基片控制等離子密度分布的方法，控制從室壁延伸到基準(zhǔn)接地電勢的RF功率傳輸路徑的該至少一個可調(diào)電感元件的一個或多個。

14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于相對于基片控制等離子密度分布的方法，控制從匹配網(wǎng)絡(luò)延伸到該傳輸電極的RF功率傳輸路徑的該至少一個可調(diào)電感元件的一個或多個。