[發(fā)明專利]單基板多芯片組大功率LED封裝一次鍵合方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010609741.1 | 申請日: | 2010-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN102157630A | 公開(公告)日: | 2011-08-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王春青;杭春進 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業(yè)大學 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/64;H01L25/075 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人: | 牟永林 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單基板多 芯片組 大功率 led 封裝 一次 方法 | ||
1.一種單基板多芯片組大功率LED封裝一次鍵合方法,其特征在于:它包括以下步驟:
步驟一:清洗基板(1)、載片臺(2)、多芯片吸嘴(3)及支撐臺(4);
步驟二:將基板(1)置于支撐臺(4)上;確定基板(1)正面上芯片待鍵合位置,將多顆待鍵合芯片(5)按照與所述芯片待鍵合位置相對應的排布放在載片臺(2)上;
步驟三:通過絲網(wǎng)印刷將焊膏均勻涂覆在所述的芯片待鍵合位置處,然后用多芯片吸嘴(3)同時拾取多顆待鍵合芯片(5);
步驟四:采用熱源在基板(1)背面進行加熱,將多芯片吸嘴(3)拾取的多顆待鍵合芯片(5)對準所述的待鍵合位置放置,使多顆待鍵合芯片(5)貼附在焊膏上,加熱持續(xù)5s至10s后,自然冷卻至室溫,移走多芯片吸嘴(3),完成鍵合。
2.根據(jù)權利要求1所述的單基板多芯片組大功率LED封裝一次鍵合方法,其特征在于:所述清洗為采用超聲波清洗。
3.根據(jù)權利要求1所述的單基板多芯片組大功率LED封裝一次鍵合方法,其特征在于:所述焊膏為共晶合金釬料焊膏。
4.根據(jù)權利要求1所述的單基板多芯片組大功率LED封裝一次鍵合方法,其特征在于:所述支撐臺(4)為中空式。
5.根據(jù)權利要求1所述的單基板多芯片組大功率LED封裝一次鍵合方法,其特征在于:所述多芯片吸嘴(3)的結構為:它由真空柄(3-1)和吸頭(3-2)組成,真空柄(3-1)的內部為空腔,吸頭(3-2)為內部具有氣流通道(3-21)的密閉結構,真空柄(3-1)的一端固定在吸頭(3-2)表面的中心位置,真空柄(3-1)的內部空腔與吸頭(3-2)的氣流通道(3-21)相連通,吸頭(3-2)的吸附芯片側具有多個微通道(3-22),所述多個微通道(3-22)的排布方式與所述的芯片待鍵合位置的排布方式相同,多個微通道(3-22)與所述氣流通道(3-21)相連通,所述吸頭(3-2)的下表面上分布多個芯片吸槽,所述每個微通道(3-22)的端口位于一個芯片吸槽的中心;
所述載片臺(2)的結構為:載片臺(2)上具有多個載片臺氣流通道(2-1),載片臺氣流通道(2-1)的排布方式與微通道(3-22)的排布方式相同。
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