[發(fā)明專利]發(fā)光元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010609584.4 | 申請日： | 2010-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN102537702A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張珮盈;黃仕穎;黃添富;蕭乾道 | 申請（專利權(quán)）人： | 財團法人工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號： | F21S2/00 | 分類號： | F21S2/00;F21V5/08;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 元件 | ||
1.一種發(fā)光元件，包括：
發(fā)光二極管光源；以及
光擴散單元，至少覆蓋部分該發(fā)光二極管光源，
其中，該光擴散單元的組成包括第一高分子、第二高分子、或該第一高分子與該第二高分子的混合物，且該第一高分子的結(jié)晶粒徑大于該第二高分子的結(jié)晶粒徑；
其中，該第一高分子包括丙烯聚合物或乙烯-丙烯共聚物；且該第二高分子包括乙烯聚合物、丙烯聚合物、或乙烯-丙烯共聚物。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，該第一高分子的結(jié)晶粒徑為1μm～120μm。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，該第二高分子的結(jié)晶粒徑為0.05μm～10μm。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，該第一高分子與/或該第二高分子于室溫下的結(jié)晶度為40％～70％。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，該第一高分子與/或該第二高分子的重均分子量為10,000～1,000,000。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，該混合物的透光率介于該第一高分子的透光率與該第二高分子的透光率之間。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，該混合物的光擴散率大于該第一高分子的光擴散率與該第二高分子的光擴散率。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，該混合物中，該第一高分子與該第二高分子的重量比為50∶50～95∶5。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，該第一高分子和/或該第二高分子為乙烯-丙烯共聚物，且乙烯單體與丙烯單體的重量比小于或等于20∶100。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，該第一高分子與/或該第二高分子的熔融指數(shù)為0.1～200g/10min。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于財團法人工業(yè)技術(shù)研究院，未經(jīng)財團法人工業(yè)技術(shù)研究院許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010609584.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
