[發(fā)明專利]晶體管參數(shù)化模塊單元無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010608305.2 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102142437A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 熊濤;程玉華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海北京大學(xué)微電子研究院 |
| 主分類號(hào): | H01L27/02 | 分類號(hào): | H01L27/02;G06F17/50 |
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| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶體管 參數(shù) 模塊 單元 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域,尤其涉及模擬集成電路設(shè)計(jì)后端。
背景技術(shù)
集成電路設(shè)計(jì)包括前端設(shè)計(jì)和后端設(shè)計(jì)兩個(gè)階段,前端設(shè)計(jì)負(fù)責(zé)邏輯實(shí)現(xiàn),通常是使用verilog/VHDL之類語(yǔ)言,進(jìn)行行為級(jí)的描述。后端設(shè)計(jì)是指將前端設(shè)計(jì)產(chǎn)生的門級(jí)網(wǎng)表通過(guò)EDA設(shè)計(jì)工具進(jìn)行布局布線和進(jìn)行物理驗(yàn)證并最終產(chǎn)生供制造用的GDS文件的過(guò)程,其主要工作職責(zé)有:芯片物理結(jié)構(gòu)分析、邏輯分析、建立后端設(shè)計(jì)流程、版圖布局布線、版圖編輯、版圖物理驗(yàn)證、聯(lián)絡(luò)晶圓廠并提交生產(chǎn)數(shù)據(jù)。所謂GDS文件,是一種圖形化的文件,是集成電路版圖的一種格式。
隨著混合信號(hào)設(shè)計(jì)復(fù)雜性的日趨增加,開(kāi)發(fā)工藝設(shè)計(jì)工具包(PDK,ProcessDesign?Kit)并建立驗(yàn)證參考流程對(duì)于降低昂貴的設(shè)計(jì)反復(fù)所帶來(lái)的市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)是非常重要的。一般來(lái)說(shuō),晶圓廠會(huì)根據(jù)工藝技術(shù)的要求定制PDK的設(shè)計(jì)組件,每個(gè)工藝都會(huì)有一套對(duì)應(yīng)的PDK。
PDK是為模擬/混合信號(hào)IC電路設(shè)計(jì)而提供的完整工藝文件集合,是連接IC設(shè)計(jì)和IC工藝制造的數(shù)據(jù)平臺(tái)。PDK的內(nèi)容包括:
器件模型(Device?Model):由Foundry提供的仿真模型文件;
符號(hào)和視圖(Symbols?&?View):用于原理圖設(shè)計(jì)的符號(hào),參數(shù)化的設(shè)計(jì)單元都通過(guò)了SPICE仿真的驗(yàn)證;
組件描述格式(CDF,Component?Description?Format)和Callback函數(shù):器件的屬性描述文件,定義了器件類型、器件名稱、器件參數(shù)及參數(shù)調(diào)用關(guān)系函數(shù)集Callback、器件模型、器件的各種視圖格式等;
參數(shù)化單元(Pcell,Parameterized?Cell):它由Cadence的SKILL語(yǔ)言編寫,其對(duì)應(yīng)的版圖通過(guò)了設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC,design?rule?check)和版圖與電路圖(LVS)驗(yàn)證,方便設(shè)計(jì)人員進(jìn)行原理圖驅(qū)動(dòng)的版圖(Schematic?DrivenLayout)設(shè)計(jì)流程;
技術(shù)文件(Technology?File):用于版圖設(shè)計(jì)和驗(yàn)證的工藝文件,包含GDSII的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)層和工藝層的映射關(guān)系定義、設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)層的屬性定義、在線設(shè)計(jì)規(guī)則、電氣規(guī)則、顯示色彩定義和圖形格式定義等;
物理驗(yàn)證規(guī)則(PV?Rule)文件:包含版圖驗(yàn)證文件DRC/LVS/RC提取,支持Cadence的Diva、Dracula、Assura等。
其中參數(shù)化單元(Pcell)中的參數(shù)指的就是CDF參數(shù),它們的組合能夠?qū)崿F(xiàn)用戶定制的所有功能,是PDK的核心部分。實(shí)際上,PDK的庫(kù)就是指所有參數(shù)化單元的合集。具體來(lái)說(shuō),參數(shù)化單元有以下作用:
(1)可以加速插入版圖的數(shù)據(jù),避免了單元的重復(fù)創(chuàng)建;
(2)節(jié)省了物理磁盤的空間,相似部分可以被連接到相同的資源;
(3)避免了因?yàn)橐S護(hù)相同單元的多個(gè)版本而發(fā)生的錯(cuò)誤;
(4)實(shí)現(xiàn)了層級(jí)的編輯功能,不需要為了改變版圖的設(shè)計(jì)而去改變層級(jí)結(jié)構(gòu)。
總之,如果擁有了經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的參數(shù)化單元結(jié)構(gòu)、符號(hào)及規(guī)則等優(yōu)化集合的PDK,IC設(shè)計(jì)人員的工作就能從繁瑣易錯(cuò)的任務(wù)中解脫出來(lái)而變得高質(zhì)量且富有效率。
在傳統(tǒng)版圖單元庫(kù)中,只存在mos晶體管基本單元,版圖繪制人員在繪制匹配MOS晶體管時(shí),先調(diào)用兩個(gè)帶參數(shù)的mos晶體管,然后再根據(jù)電路仿真所確認(rèn)出來(lái)的mos晶體管尺寸參數(shù),對(duì)每個(gè)mos晶體管的版圖單元進(jìn)行參數(shù)設(shè)置,接著根據(jù)匹配的原則進(jìn)行連接與布局,在后期修改過(guò)程中,若mos晶體管尺寸有所變化,則改動(dòng)操作非常繁瑣,而且容易在不經(jīng)意中發(fā)生錯(cuò)誤。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了大尺寸匹配晶體管參數(shù)化模塊單元,以提高繪制版圖的效率,改善版圖的穩(wěn)定性。
本發(fā)明提供的大尺寸匹配晶體管參數(shù)化模塊單元,由兩個(gè)固定匹配連接關(guān)系的晶體管組成。所述模塊單元提供控制晶體管柵長(zhǎng)和柵寬兩個(gè)參數(shù),修改所述的兩個(gè)參數(shù),可以調(diào)整晶體管的尺寸,內(nèi)部將自動(dòng)做出相應(yīng)調(diào)整,仍然保持匹配連接關(guān)系。
可選的,所述模塊單元中引出八條金屬線,供模塊單元外部電路連接。
可選的,可以隨時(shí)調(diào)整所述晶體管的柵面積,根據(jù)實(shí)際版圖允許面積,優(yōu)化匹配精確度。
可選的,所述模塊單元采用完全的共質(zhì)心版圖結(jié)構(gòu)。
可選的,所述晶體管左右兩邊加上等距離的陪襯柵極,避免了因多晶硅刻蝕速率不一致引起的失配。
可選的,所述模塊單元中將陪襯管的柵電極與背柵相連,有助于保證晶體管的電學(xué)特性不受陪襯管下方形成的偽溝道影響。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





