[發(fā)明專利]LDMOS結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010607832.1
• 申請日: 2010-12-23
• 公開（公告）號: CN102130173A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張立君;程玉華
• 申請（專利權(quán)）人: 上海北京大學(xué)微電子研究院
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種可以有效提高器件擊穿特性的橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)，包括金屬場板和雙柵結(jié)構(gòu)，其特征在于，不改變器件尺寸，對導(dǎo)通電阻及飽和電流影響較小的情況下，大幅度提高了器件的擊穿電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述器件含有金屬場板結(jié)構(gòu)，其普遍應(yīng)用于擊穿電壓大于600V的器件結(jié)構(gòu)中。

3.如權(quán)利要求1所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬場板結(jié)構(gòu)多產(chǎn)生于分立器件工藝過程，此結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生于集成工藝中。

4.如權(quán)利要求1所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)為雙柵雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的橫向雙柵雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述器件含有金屬場板結(jié)構(gòu)，其普遍應(yīng)用于擊穿電壓大于600V的器件結(jié)構(gòu)中。

6.如權(quán)利要求4所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)中金屬場板結(jié)構(gòu)多產(chǎn)生于分立器件工藝過程，此結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生于BCD集成工藝中。

7.如權(quán)利要求4所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)為雙柵雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)，或柵極多于兩個的多柵結(jié)構(gòu)。