[發明專利]半導體器件的制造方法以及半導體器件

有效

• 申請號: 201010607827.0
• 申請日: 2010-12-28
• 公開（公告）號: CN102130049A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 古川勝悅;中山悟;鐮田省吾;清藤繁光
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/02;H01L27/04
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

相關申請的交叉參考

本文通過引用全文并入2009年12月28日提交的日本專利申請2009-296749的包括說明書、附圖和摘要的公開文本。

技術領域

本發明涉及半導體器件及其制造技術，尤其涉及當應用于通過研磨半導體器件的背側減小厚度的半導體器件時有效的技術。

背景技術

作為減小半導體器件厚度的技術，存在像在半導體晶片的主面上形成集成電路之后研磨其背側的技術。

例如，已公開日本專利2004-253678(專利文獻1)描述了半導體晶片背面的研磨，以及之后，為要切斷劃線的一部分形成由聚酰亞胺樹脂組成的堤層圖案。專利文獻1描述了在研磨半導體晶片的背面時可以防止研磨液滲入表面保護帶與劃線之間的間隙中。

此外，例如，已公開日本專利1993-315304(專利文獻2)描述了為晶片的外圍部分均勻地形成聚酰亞胺膜。專利文獻2描述了提高晶片與保護片之間的粘性，以便可以防止水、酸等滲透到晶片表面。

此外，例如，已公開日本專利2001-274129(專利文獻3)描述了在以網格狀延伸的劃線的相交區(intersection)附近形成由聚酰亞胺樹脂組成的堤層。專利文獻3描述了在研磨背面的工藝中在晶片的外圍可以不用聚酰亞胺膜來防止研磨廢料透過凹部。

發明內容

半導體器件是通過對由例如單晶硅制成的半導體晶片進行成膜、光刻、蝕刻、摻雜等形成集成電路的方法，而且，通過將半導體晶片切片，以便從一個半導體晶片中給出多個半導體器件(半導體芯片)而制造的。

最近在使安裝有半導體器件的電子器件更輕、更薄、更短和更小方面的進展，以及對于半導體器件(半導體芯片或安裝有半導體芯片的半導體封裝件)，各種技術都取得了進步，使器件更薄(厚度減小)，更小(平面尺寸減小)。

作為使半導體器件更薄的技術，在半導體晶片的主面側形成集成電路，之后，研磨其背面側，再之后，進行切片的制造方法從從穩定地形成集成電路的觀點來看必要的保證半導體晶片的厚度，同時減小半導體芯片的厚度的觀點來看是有效的。在這種方法中，在研磨半導體晶片背面側的BG(背面研磨)工藝中，在將保護片粘貼在形成有集成電路的主面側上的狀態下，在供應研磨液時進行研磨。

但是，半導體晶片主面側的表面不是均勻平面，而是具有與在主面上形成的布線和端子相符的粗糙度。因此，出現像由研磨半導體晶片背面側生成的研磨廢料的異物與研磨液一起從保護片與半導體晶片之間的間隙向主面側滲透的問題。特別地，布置在形成集成電路的多個器件區中的每一個之間的劃片區與器件區的凸出部分相比處在凹陷狀態下，導致在劃片區與保護片之間出現間隙，該間隙用作伴隨著研磨液的異物的滲透路線。當帶有異物的研磨液滲透到形成有集成電路的主面側時，使器件區被污染。防止這樣的污染將是有利的。

當如專利文獻1到3所述，為了防止研磨液的滲透，在劃片區中布置由聚酰亞胺樹脂組成的堤層圖案或堤層時，在研磨之后，在切片工藝中通過切片刀相應地切割由聚酰亞胺樹脂組成的堤層圖案或堤層。但是，聚酰亞胺樹脂是低硬度的，因此出現了用于研磨的磨粒在牢固粘貼在切片刀的切刀上的情況下無法被新磨粒更新，造成切片故障的新問題。

此外，當使半導體芯片的平面尺寸更小時，從一個半導體晶片中獲得的半導體芯片的數量就增加。因此，其后果是，切片刀切割一個半導體晶片所行進的線的數量(切片線的數量，劃線的數量)也增加。于是，當切片刀受損的頻率增大時，制造效率因像更換刀片的工作的頻率增大而降低。此外，出現在切割工作中的切片刀受損也造成切片故障的發生。

本發明提供了上述半導體器件的可靠性的改善。

本發明還提供了防止或抑制主面側在研磨半導體晶片背面側的工藝中受到污染的技術。

本發明進一步提供了能夠在切割半導體晶片的工藝中抑制切片故障的技術。

本發明的其它目的和特征可以從本說明書的描述部分和附圖中清楚看出。

以下簡要說明公開在本說明書中的幾個實施例中的至少一個的概況。

也就是說，例如，在作為本發明一個實施例的半導體器件的制造方法中，將多個第一絕緣層疊置在半導體晶片的劃片區的一部分上。此外，形成與在器件區中形成的最上布線層處于同一層中的金屬圖案。而且，形成覆蓋最上布線層的第二絕緣層，以便也覆蓋金屬圖案的上表面。

以下簡要說明在本申請中公開的本發明的幾個實施例中的至少一個所提供的效果。

也就是說，例如，按照本發明的一個實施例，可以改善半導體器件的可靠性。

附圖說明