[發(fā)明專利]MEMS器件的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010607826.6 | 申請(qǐng)日： | 2010-12-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102530831A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 毛劍宏;唐德明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海麗恒光微電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B81C1/00 | 分類號(hào)： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區(qū)張江*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mems 器件 制作方法 | ||
1.一種MEMS器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有金屬互連結(jié)構(gòu)；
在所述半導(dǎo)體襯底的表面形成第一犧牲層，所述第一犧牲層的材質(zhì)為無定形碳；
刻蝕所述第一犧牲層形成第一凹槽；
在所述第一犧牲層表面覆蓋形成第一介質(zhì)層；
采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝減薄所述第一介質(zhì)層，直至露出所述第一犧牲層；
在第一犧牲層表面形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)層，并曝露出第一犧牲層，所述微機(jī)械結(jié)構(gòu)層的部分與所述第一介質(zhì)層連接。
2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蝕第一犧牲層形成第一凹槽包括：
在第一犧牲層表面形成第一掩模圖形，所述第一掩模圖形定義所述MEMS器件的第一介質(zhì)層圖形；
采用等離子刻蝕工藝刻蝕所述第一犧牲層直至露出半導(dǎo)體襯底，形成所述第一凹槽；
去除所述第一掩模圖形。
3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅或氮化硅，采用化學(xué)氣相沉積形成。
4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)還形成有第一驅(qū)動(dòng)層，所述微機(jī)械結(jié)構(gòu)層與其下方的第一驅(qū)動(dòng)層的位置相對(duì)應(yīng)。
5.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在第一犧牲層表面形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)層前還包括在第一介質(zhì)層內(nèi)形成接觸孔，所述微機(jī)械結(jié)構(gòu)層通過所述接觸孔與所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的金屬互連結(jié)構(gòu)電連接。
6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，還包括：
在所述微機(jī)械結(jié)構(gòu)層以及第一犧牲層表面形成第二犧牲層，所述第二犧牲層的材質(zhì)與第一犧牲層相同；
刻蝕所述第二犧牲層形成第二凹槽；
在所述第二犧牲層表面覆蓋形成第二介質(zhì)層；
采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝減薄所述第二介質(zhì)層，直至露出所述第二犧牲層；
在所述第二犧牲層的表面形成隔離層；
刻蝕所述隔離層形成通孔，所述通孔露出第二犧牲層；
通過所述通孔去除第二犧牲層以及第一犧牲層；
在所述隔離層表面形成覆蓋層，且所述覆蓋層覆蓋通孔。
7.如權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述刻蝕第二犧牲層形成第二凹槽包括：
在第二犧牲層表面形成第二掩模圖形，所述第二掩模圖形定義所述MEMS器件的第二介質(zhì)層圖形；
采用等離子刻蝕工藝刻蝕所述第二犧牲層直至露出微機(jī)械結(jié)構(gòu)層或第一介質(zhì)層，形成所述第二凹槽；
去除所述第二掩模圖形。
8.如權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材質(zhì)以及形成工藝與第一介質(zhì)層相同。
9.如權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，在形成隔離層前還包括在第二犧牲層表面形成第二驅(qū)動(dòng)層，所述第二驅(qū)動(dòng)層與其下方的微機(jī)械結(jié)構(gòu)層的位置相對(duì)應(yīng)。
10.如權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，在形成隔離層前還包括在第二介質(zhì)層以及第一介質(zhì)層內(nèi)形成接觸孔，所述第二驅(qū)動(dòng)層通過所述接觸孔與所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的金屬互連結(jié)構(gòu)電連接。
11.如權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述去除第一犧牲層以及第二犧牲層的方法包括：向通孔內(nèi)通入氧氣，采用灰化工藝去除。
12.如權(quán)利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述灰化工藝的溫度范圍為350℃～450℃。
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