[發明專利]快速熱退火方法無效
| 申請號： | 201010607697.0 | 申請日： | 2010-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN102560682A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 周祖源;孟昭生 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/02 | 分類號： | C30B33/02;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 快速 退火 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種快速熱退火方法，其特征在于，包括：
低溫臺階階段，設置邊緣區域的燈管功率大于中心區域的燈管功率；
升溫階段，設置邊緣區域的燈管功率小于中心區域的燈管功率；
降溫階段，設置邊緣區域的燈管功率大于中心區域的燈管功率。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，降溫階段，中心區域的燈管功率為0。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，低溫臺階階段，晶片邊緣區域輻射放出的熱量多于中心區域。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，低溫臺階階段，晶片邊緣區域輻射放出的多于中心區域的熱量等于邊緣區域接收的多于中心區域的熱量。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，升溫階段，晶片邊緣區域輻射吸收的熱量多于中心區域。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，升溫階段，晶片邊緣區域輻射吸收的多于中心區域的熱量等于邊緣區域接收的少于中心區域的熱量。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，降溫階段，晶片邊緣區域輻射放出的熱量多于中心區域。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，降溫階段，晶片邊緣區域輻射放出的多于中心區域的熱量等于邊緣區域接收的多于中心區域的熱量。
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