[發明專利]存儲器的制造方法

有效

• 申請號: 201010607526.8
• 申請日: 2010-12-27
• 公開（公告）號: CN102130062A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 蔣汝平;廖修漢
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8239
• 分類號: H01L21/8239;H01L21/762
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種存儲器的制造方法，其特征在于，所述存儲器的制造方法包括：

提供一基底，所述基底包括一存儲胞區與一周邊區，所述基底上已形成有多個柵極，且各所述柵極的側壁上具有一第一間隙壁，其中所述存儲胞區的所述柵極之間具有多個開口；

于所述存儲胞區的所述基底上形成一第一材料層，所述第一材料層覆蓋所述存儲胞區的所述柵極且填滿所述開口；

對所述周邊區進行一處理步驟；

移除部分所述第一材料層，以于各所述開口中形成一第一圖案；

于所述基底上形成一第二材料層，所述第二材料層覆蓋所述周邊區與所述存儲胞區，且暴露出所述第一圖案；

移除所述第一圖案，以于所述第二材料層中形成多個接觸窗開口；以及

于各所述接觸窗開口中形成一接觸窗插塞。

2.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，所述的處理步驟包括：

于所述周邊區的各所述柵極的所述第一間隙壁上形成一第二間隙壁；

以所述第二間隙壁為掩膜，于所述周邊區的各所述柵極兩側形成一源極與漏極區；以及

移除各所述柵極的所述第二間隙壁。

3.如權利要求2所述的存儲器的制造方法，其特征在于，所述的第二間隙壁的材料包括氮化硅，其形成方法包括反應性離子刻蝕法。

4.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，所述的第一材料層包括多晶硅，其形成方法包括化學汽相沉積法。

5.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其特在在于，所述的第一圖案的頂部高于所述存儲胞區的所述柵極的頂部。

6.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，移除部分所述第一材料層的步驟包括：

于所述第一材料層上形成一圖案化掩膜層；

以所述圖案化掩膜層為掩膜，移除部分所述第一材料層，以暴露出所述存儲胞區的所述柵極的頂部；以及

移除所述圖案化掩膜層。

7.如權利要求6所述的存儲器的制造方法，其特征在于，移除部分所述第一材料層的方法包括反應性離子刻蝕法。

8.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，所述第二材料層包括硼磷硅玻璃，其形成方法包括化學汽相沉積法。

9.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，所述第二材料層的頂部與所述第一圖案的頂部在同一平面上。

10.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，移除所述第一圖案的方法包括干式刻蝕法或濕式刻蝕法。