[發明專利]改善n-ZnO/AlN/p-GaN異質結發光二極管電致發光性能的方法無效
| 申請號： | 201010607413.8 | 申請日： | 2010-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN102130229A | 公開（公告）日： | 2011-07-20 |
| 發明（設計）人： | 張曙光;張興旺;尹志崗;董敬敬;游經碧 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/26 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 zno aln gan 結發 二極管 電致發光 性能 方法 | ||
1.一種改善n-ZnO/AlN/p-GaN異質結發光二極管電致發光性能的方法，其特征在于，該方法是采用對n-ZnO/AlN/p-GaN異質結發光二極管進行氫等離子體處理的方式，來改善n-ZnO/AlN/p-GaN異質結發光二極管電致發光性能。
2.根據權利要求1所述的改善n-ZnO/AlN/p-GaN異質結發光二極管電致發光性能的方法，其特征在于，該方法具體包括如下步驟：
使用掩膜將n-ZnO/AlN/p-GaN異質結發光二極管蓋住，露出需要進行氫等離子體處理的ZnO部分；
將n-ZnO/AlN/p-GaN異質結發光二極管送入電容耦合等離子體系統中進行氫等離子體處理；
氫等離子體處理過程中器件的溫度為T，射頻功率為WH，氣路中氫氣的流量為F，氫氣的壓強為PH，處理時間為tH。
3.根據權利要求2所述的改善n-ZnO/AlN/p-GaN異質結發光二極管電致發光性能的方法，其特征在于，所述氫等離子體處理之前，該電容耦合等離子體系統的背景真空被抽至1×10-4Pa以下。
4.根據權利要求2所述的改善n-ZnO/AlN/p-GaN異質結發光二極管電致發光性能的方法，其特征在于，所述氫等離子體處理之前，該電容耦合等離子體系統被通入氫氣，調整氣體流量計使氣路中氫氣的流量F為50-120sccm，調整氣體的壓強PH為50至200Pa。
5.根據權利要求2所述的改善n-ZnO/AlN/p-GaN異質結發光二極管電致發光性能的方法，其特征在于，所述氫等離子體處理溫度T為室溫。
6.根據權利要求2所述的改善n-ZnO/AlN/p-GaN異質結發光二極管電致發光性能的方法，其特征在于，所述氫等離子體處理射頻功率WH為10至100W。
7.根據權利要求2所述的改善n-ZnO/AlN/p-GaN異質結發光二極管電致發光性能的方法，其特征在于，所述氫等離子體處理時間tH為20至200分鐘。
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