[發明專利]基片加熱腔室、使用基片加熱腔室的方法及基片處理設備

有效

• 申請號: 201010606908.9
• 申請日: 2010-12-16
• 公開（公告）號: CN102560373A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 夏威
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C14/35;C23C14/02
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張天舒;陳源

1.一種基片加熱腔室，用于在基片處理工藝之前對基片進行加熱，其特征在于，所述基片加熱腔室至少可同時加熱2片基片。

2.根據權利要求1所述的基片加熱腔室，其特征在于，包括用于承載基片進行加熱的托盤，所述托盤至少可同時承載2片基片。

3.根據權利要求2所述的基片加熱腔室，其特征在于，所述基片加熱腔室包括密封閘門，所述托盤具有旋轉機構；所述旋轉機構用于在取/放基片時將所述托盤上已加熱好的基片位置或無基片的位置對準所述密封閘門。

4.根據權利要求1或2或3所述的基片加熱腔室，其特征在于，所述基片加熱腔室可同時對2片或4片基片進行加熱。

5.一種使用基片加熱腔室的方法，用于在基片處理工藝之前對基片進行加熱，其中，基片加熱所需時長T為基片處理工藝時長t的n倍，n＞1；其特征在于，所述基片加熱腔室至少可同時加熱2片基片，所述方法包括下述步驟：

10)使所述基片加熱腔室同時對N片基片進行加熱處理，其中，N為正整數且n≤N＜n+1；

20)每隔時長t，從所述基片加熱腔室內取出加熱好的基片用于后續的基片處理工藝，同時，向所述基片加熱腔室內放入未經加熱的基片。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述步驟10)之前，還包括下述步驟：

03)向所述基片加熱腔室內放入一片基片并持續加熱時長t，然后轉到步驟04)；

04)判斷所述基片加熱腔室內的基片數量是否達到N片，如果是，則轉到步驟10)；如果否，則轉到步驟03)。

7.根據權利要求5所述的基片加熱腔室，其特征在于，基片加熱腔室包括托盤、密封閘門及旋轉機構；相應地，所述步驟20)具體包括：借助所述旋轉機構將所述托盤上已加熱好的基片的位置對準所述密封閘門；開啟密封閘門，將已加熱好的基片取出，并在空出的基片位置處放入一片未經加熱的基片。

8.根據權利要求5或6或7所述的方法，其特征在于，所述N＝2或4。

9.一種基片處理設備，至少包括基片加熱腔室和工藝腔室，用于對基片依次進行加熱及處理工藝；其特征在于，所述基片加熱腔室為權利要求1-4中任意一項所述的基片加熱腔室，以使基片加熱的效率與所述工藝腔室的產能相匹配。

10.根據權利要求9所述的基片處理設備，其特征在于，包括磁控濺射設備。

11.一種基片處理設備，至少包括基片加熱腔室和工藝腔室，用于對基片依次進行加熱及處理工藝；其特征在于，在所述基片加熱腔室中應用有權利要求5-8中任意一項所述的方法，以使基片加熱的效率與所述工藝腔室的產能相匹配。

12.根據權利要求11所述的基片處理設備，其特征在于，包括磁控濺射設備。