[發明專利]一種應用輝光放電質譜分析非導體材料的新方法有效
| 申請號： | 201010606816.0 | 申請日： | 2010-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN102175754A | 公開（公告）日： | 2011-09-07 |
| 發明（設計）人： | 錢榮 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | G01N27/68 | 分類號： | G01N27/68 |
| 代理公司： | 上海海頌知識產權代理事務所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 應用 輝光 放電 譜分析 非導體 材料 新方法 | ||
1.一種應用輝光放電質譜分析非導體材料的新方法，其特征在于，包括如下具體步驟：
a)將待分析的非導體材料加工成條狀樣品；
b)清洗條狀樣品，烘干；
c)將金屬銦置入石英坩堝中，加熱至熔融狀態；
d)使條狀樣品表面包覆一層金屬銦膜；
e)再次清洗條狀樣品，烘干；
f)進行直流輝光放電質譜(dc-GD-MS)分析。
2.根據權利要求1所述的應用輝光放電質譜分析非導體材料的新方法，其特征在于：所述非導體材料是指晶體、陶瓷、玻璃、礦石或高純多晶硅。
3.根據權利要求1所述的應用輝光放電質譜分析非導體材料的新方法，其特征在于：所述條狀樣品的尺寸為(15～20)mm×2mm×2mm。
4.根據權利要求1所述的應用輝光放電質譜分析非導體材料的新方法，其特征在于：所述條狀樣品的清洗是先用體積比為1∶1的硝酸(HNO3)和超純水的混合溶液進行超聲清洗，再于超純水中超聲兩次，最后用乙醇洗凈。
5.根據權利要求1所述的應用輝光放電質譜分析非導體材料的新方法，其特征在于：所述金屬銦(In)的純度大于99.9999％。
6.根據權利要求1所述的應用輝光放電質譜分析非導體材料的新方法，其特征在于：步驟c)中的熔融狀態的溫度為150℃～155℃。
7.根據權利要求1所述的應用輝光放電質譜分析非導體材料的新方法，其特征在于：使條狀樣品表面包覆一層金屬銦膜的方法是將條狀樣品放入盛有熔融銦的石英坩堝中，待形成膜后取出樣品，冷卻。
8.根據權利要求1所述的應用輝光放電質譜分析非導體材料的新方法，其特征在于：使條狀樣品表面包覆一層金屬銦膜的方法是將熔融銦傾入放置有條狀樣品的聚四氟乙烯模具孔中，待形成膜后取出樣品，冷卻。
9.根據權利要求1所述的應用輝光放電質譜分析非導體材料的新方法，其特征在于：所述金屬銦膜的面積至少為條狀樣品表面積的1/3。
10.根據權利要求1所述的應用輝光放電質譜分析非導體材料的新方法，其特征在于：所述金屬銦膜的厚度為5～50μm。
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