[發明專利]投影式光刻機分層曝光進行三維光刻的方法

有效

• 申請號: 201010606311.4
• 申請日: 2010-12-22
• 公開（公告）號: CN102540746A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 張俊;陳勇輝;楊志勇
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 王光輝

1.一種利用分層曝光實現三維光刻的方法，包括下述步驟：

(1)提供一掩模，該掩模表面形成有多數標記圖案區域，以及提供一基底，該基底包括傾斜結構，該傾斜結構具有與該些多數標記圖案區域分別對應之曝光區域；

(2)上該掩模，上該基底，并進行全局對準；

(3)透過照明系統調整照明位置，照明該掩模上的一個標記圖案區域；

(4)移動該基底位置，使該基底的傾斜結構上與該標記圖案區域對應的曝光區域置處于該標記圖案區域的空間像處并進行曝光；以及

(5)重復步驟(3)和(4)，直到該掩模上所有的標記圖案區域完成曝光。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，該傾斜結構為斜坡結構，該掩模上對應于該斜坡結構的不同高度的曝光區域分別形成有對應的標記圖案區域。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，按基底高度從低至高或從高至低的順序進行曝光。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，優先曝光具有相同標記圖案的區域。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，該傾斜結構為臺階結構，該掩模上對應于各層臺階分區域分別形成有對應的標記圖案區域。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，按基底高度從低至高或從高至低的順序進行曝光。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，優先曝光具有相同標記圖案的區域。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，該照明系統包括狹縫，通過調節該狹縫實現步驟(3)中照明位置的調整。

9.根據權利要求1所述的方法，還包括下該基底，并對該基底進行后續工藝處理。