[發(fā)明專利]一種MOSFET功率器件減小導(dǎo)通電阻RDS(on)的工藝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010606113.8
• 申請日: 2010-12-20
• 公開（公告）號: CN102142374A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙金波;王維建;聞永祥
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州士蘭集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265;H01L21/324;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種MOSFET功率器件減小導(dǎo)通電阻RDS(on)的工藝方法，其特征在于，所述的方法包括步驟：

步驟A-1：選擇重?fù)诫sN型襯底，按產(chǎn)品要求生長輕慘雜N外延層；

步驟A-2：在步驟A-1中生長好外延層的硅片上做磷注入；

步驟A-3：在步驟A-2中完成，磷注入后的圓片做高溫退火，在外延層表面形成一定結(jié)深的濃N型區(qū)；

步驟A-4：在表面形成濃N型層的外延上繼續(xù)完成后面MOSFET制造的后續(xù)工藝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的步驟A-2進(jìn)一步包括：所述的注入是注入能量80-200KEV，劑量在1，0E12--1.0E13之間可選。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述的步驟A-3進(jìn)一步包括：所述的高溫退火是退火溫度在1150℃到1200℃之間可選，時間在1到3小時之間可選。

4.一種MOSFET功率器件減小導(dǎo)通電阻RDS(on)的工藝方法，其特征在于，所述的方法包括步驟：

步驟B-1：選擇重?fù)诫sN型襯底，按產(chǎn)品要求生長輕慘雜N外延層；

步驟B-2：在步驟B-1中完成的外延層上完成分壓環(huán)及有源區(qū)形成工藝；

步驟B-3：在步驟B-2中完成分壓環(huán)和有源區(qū)的硅片上做JFET-P+注入，外延層表面形成一定結(jié)深的濃N型區(qū)；

步驟B-4：把在步驟B-2中完成磷注入后的圓片做高溫退火，在外延層表面形成一定結(jié)深的濃N型區(qū)；

步驟B-5：在表面形成濃N型層的外延上繼續(xù)完成后面MOSFET制造的后續(xù)工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述的步驟B-3進(jìn)一步包括：所述的注入是注入能量80-200KEV，劑量在1,0E12-1.0E13之間可選。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述的步驟B-4進(jìn)一步包括：所述的高溫退火是退火溫度在1150℃到1200℃之間可選，時間在1到3小時之間可選。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述方法制造的一種MOSFET功率器件。

8.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述方法制造的一種MOSFET功率器件。