[發明專利]超級結MOSFET中集成肖特基二極管的方法

無效

• 申請號: 201010605854.4
• 申請日: 2010-12-27
• 公開（公告）號: CN102569207A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 邱慈云;張帥;劉坤
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8249
• 分類號: H01L21/8249;H01L21/768
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種在超級結MOSFET中集成肖特基二極管的方法，其特征在于：在所述超級結MOSFET中并聯集成有由肖特基接觸與襯底形成的肖特基二極管，其中所述肖特基二極管的陽極設置在超級結MOSFET芯片的元胞區域源端的相鄰兩個體區之間，所述肖特基二極管的陽極與所述超級結MOSFET的源端相連，所述肖特基二極管的陰極共用位于襯底背面的漏電極。

2.按照權利要求1所述的方法，其特征在于，所述超級結MOSFET中集成肖特基二極管的制備包括：

在超級結MOSFET中的多晶硅淀積完成后，刻蝕去除位于源區和位于肖特基接觸孔處的多晶硅，形成多晶硅柵；

在第一介電層淀積完成后，刻蝕所述第一介電層至外延層表面，形成源極接觸孔和肖特基接觸孔，之后填入金屬形成源極接觸和肖特基接觸，所述肖特基接觸為所述肖特基二極管的陽極；

在接下來的金屬互連形成工藝中，用金屬線將所述源極接觸和所述肖特基二極管的陽極進行連接。

3.按照權利要求2所述的方法，其特征在于：所述肖特基接觸孔的孔徑尺寸為0.1微米至10微米之間。

4.按照權利要求2所述的方法，其特征在于：所述肖特基接觸孔呈長條形或方形。

5.按照權利要求2或3所述的方法，其特征在于：所述多晶硅柵的長度為1微米到50微米之間，多晶硅柵的寬度超出位于其下的體區的寬度為0.1微米到50微米之間。

6.按照權利要求5所述的方法，其特征在于：所述肖特基接觸孔到所述體區的距離在0.1微米至25微米之間。

7.按照權利要求2或3所述的方法，其特征在于：所述超級結MOSFET中具有深溝槽體區，該溝槽的深度與單純的超級結MOSFET的溝槽深度近似，范圍為十幾到幾十個微米之間。