[發明專利]用于非平面酞菁薄膜弱外延生長的固熔體誘導層

有效

• 申請號: 201010605569.2
• 申請日: 2010-12-21
• 公開（公告）號: CN102560632A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 閆東航;耿延候;田洪坤;黃麗珍;申劍鋒;郭曉東
• 申請（專利權）人: 上海中科聯和顯示技術有限公司
• 主分類號: C30B25/02
• 分類號: C30B25/02;C30B29/54;H01L51/05
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 吳世華;馮志云

1.一種用于非平面酞菁弱外延生長薄膜的固熔體誘導層，其特征在于，所述固熔體誘導層由兩種誘導層分子在一定基底溫度下共蒸鍍形成，所述固熔體誘導層薄膜均勻一致，單疇呈現類單晶結構；

所述誘導層分子為具有以下結構通式的分子中的任意兩種：

(通式I)

(通式II)

通式I中的Ar為芳香共軛基團或以下結構之一：

n＝2(5)，3(6)，4(7)，

通式I和II中的R₁為氫原子(H)或氟原子(F)，R₂為氫原子(H)或氟原子(F)。

2.如權利要求1所述的用于非平面酞菁弱外延生長薄膜的固熔體誘導層，其特征在于，通式I中的Ar包括以下結構：

3.如權利要求1所述的用于非平面酞菁弱外延生長薄膜的固熔體誘導層，其特征在于，所述兩種誘導層分子按以下三種類型組合，類型一，兩種分子均以苯為端基，中間基團不同，類型二，一種分子以苯基為端基，另一種分子以F取代苯基為端基，中間基團相同或者不同，類型三，兩種分子均以F取代苯基為端基，中間基團相同或者不同。

4.如權利要求1或2所述的用于非平面酞菁弱外延生長薄膜的固熔體誘導層，其特征在于，所述基底的溫度為150℃至240℃

5.如權利要求1-3中任一項所述的用于非平面酞菁弱外延生長薄膜的固熔體誘導層，其特征在于，所述共蒸鍍采用氣相沉積方法同時沉積所述兩種誘導層分子。

6.如權利要求1-4中任一項所述的用于非平面酞菁弱外延生長薄膜的固熔體誘導層，其特征在于，所述氣相沉積為分子氣相沉積方法，沉積過程中真空度為10^-4至10^-5帕。

7.如權利要求1-5中任一項所述的用于非平面酞菁弱外延生長薄膜的固熔體誘導層，其特征在于，所述在共蒸鍍所述誘導層分子前，襯底上沉積有氮化硅層，其厚度為200到500納米。

8.如權利要求1-6中任一項所述的用于非平面酞菁弱外延生長薄膜的固熔體誘導層，其特征在于，在襯底上共蒸鍍的固熔體誘導層厚度為1-3個分子層。

9.一種非平面酞菁薄膜，其特征在于，其由非平面酞菁在權利要求1-7任一所述的固熔體誘導層上弱外延生長而形成，并與所述固熔體誘導層具有取向關系。

10.一種有機薄膜晶體管，其特征在于，其包含權利要求8所述的在固熔體誘導層(3)上弱外延生長的非平面酞菁薄膜，以及所述固熔體誘導層上弱外延生長的非平面酞菁薄膜是所述晶體管中的有機半導體層(2)。