[發明專利]半導體器件的失效分析方法

有效

• 申請號: 201010605339.6
• 申請日: 2010-12-27
• 公開（公告）號: CN102565680A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 韋俊;董紅
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司
• 主分類號: G01R31/307
• 分類號: G01R31/307;G01R31/308
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體器件的失效分析方法，其特征在于：其包括步驟：

S101：去除半導體器件背面的銅層；

S103：對半導體器件背面的硅層進行減薄；及

S105：使用微光顯微鏡(Emission?Microscope，EMMI)和/或鐳射光束誘發阻抗值變化測試(OBIRCH)電性定位設備定位半導體器件背面的失效點。

2.如權利要求1所述的半導體器件的失效分析方法，其特征在于，所述步驟S101中使用70％的硝酸溶液浸泡半導體器件的背面以去除銅層。

3.如權利要求2所述的半導體器件的失效分析方法，其特征在于，所述步驟S101中銅層去除后的半導體器件背面形成U形窗口。

4.如權利要求1所述的半導體器件的失效分析方法，其特征在于，所述步驟S103中采用全自動樣品制備(Automated?Sample?Prep)設備對硅層進行減薄。

5.如權利要求4所述的半導體器件的失效分析方法，其特征在于，所述步驟S101中去除銅層后的半導體器件背面形成U形窗口，其中全自動樣品制備設備在該窗口中對硅層進行研磨減薄。

6.如權利要求4所述的半導體器件的失效分析方法，其特征在于，所述步驟S103中采用三種不同的鉆頭對硅層進行研磨減薄。

7.如權利要求1所述的半導體器件的失效分析方法，其特征在于，所述OBIRCH電性定位設備具有drain端探針、gate端探針及source端探針，半導體器件包括具有正面及所述背面的主體部及管腳，其中drain端探針直接接觸主體部的背面，gate端探針及source端探針連接半導體器件的管腳。

8.如權利要求7所述的半導體器件的失效分析方法，其特征在于，所述半導體器件的背面依次具有銅層、硅層及芯片疊層，其中所述drain端探針接觸芯片疊層。