[發(fā)明專利]加熱控制方法、裝置和系統(tǒng),加熱腔及等離子體設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010604798.2 | 申請日: | 2010-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN102560441A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 付金生 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52;C23C16/46;C23C14/54 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 張大威 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 加熱 控制 方法 裝置 系統(tǒng) 等離子體 設(shè)備 | ||
1.一種加熱控制方法,其特征在于,包括以下步驟:
檢測加熱腔的當(dāng)前溫度;
根據(jù)所述加熱腔的當(dāng)前溫度判斷所述加熱腔是否處于冷卻狀態(tài);
如果判斷所述加熱腔處于冷卻狀態(tài),則根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計算初始加熱溫度,其中,所述初始加熱溫度小于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度,并控制加熱裝置以所述初始加熱溫度對所述加熱腔進行加熱。
2.如權(quán)利要求1所述的加熱控制方法,其特征在于,還包括:
如果判斷所述加熱腔未處于冷卻狀態(tài),則控制所述加熱裝置根據(jù)所述當(dāng)前溫度和設(shè)定的目標(biāo)溫度對所述加熱腔進行加熱。
3.如權(quán)利要求1所述的加熱控制方法,其特征在于,其中,按照調(diào)整步長逐步地提高所述初始加熱溫度,直至所述初始加熱溫度等于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度。
4.如權(quán)利要求3所述的加熱控制方法,其特征在于,所述調(diào)整步長根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計算得到。
5.如權(quán)利要求4所述的加熱控制方法,其特征在于,所述調(diào)整步長T2為T1/N,所述初始加熱溫度為T2×(I+2),其中,N為正整數(shù),I為調(diào)整次數(shù),T1為設(shè)定的目標(biāo)溫度,且(I+2)小于或等于N。
6.一種加熱控制裝置,其特征在于,包括:
溫度檢測模塊,用于檢測加熱腔的當(dāng)前溫度;
判斷模塊,用于根據(jù)所述溫度檢測模塊檢測的所述加熱腔的當(dāng)前溫度判斷所述加熱腔是否處于冷卻狀態(tài);和
控制模塊,用于在所述判斷模塊判斷所述加熱腔處于冷卻狀態(tài)時,根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計算初始加熱溫度,其中,所述初始加熱溫度小于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度,并控制加熱裝置以所述初始加熱溫度啟動對所述加熱腔的加熱。
7.如權(quán)利要求6所述的加熱控制裝置,其特征在于,所述控制模塊還用于在所述判斷模塊判斷所述加熱腔未處于冷卻狀態(tài)時,根據(jù)所述當(dāng)前溫度和設(shè)定的目標(biāo)溫度對所述加熱腔進行加熱。
8.如權(quán)利要求6所述的加熱控制裝置,其特征在于,其中,還包括初始加熱溫度調(diào)整模塊,所述初始加熱溫度調(diào)整模塊用于按照調(diào)整步長逐步地提高所述初始加熱溫度,直至所述初始加熱溫度等于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度。
9.如權(quán)利要求8所述的加熱控制裝置,其特征在于,所述初始加熱溫度和所述調(diào)整步長根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計算得到。
10.如權(quán)利要求9所述的加熱控制裝置,其特征在于,所述調(diào)整步長T2為T1/N,所述初始加熱溫度為T2×(I+2),其中,N為正整數(shù),I為調(diào)整次數(shù),T1為設(shè)定的目標(biāo)溫度,且(I+2)小于或等于N。
11.一種加熱控制系統(tǒng),其特征在于,包括:
加熱裝置;和
如權(quán)利要求6-10任一所述的加熱控制裝置;
其中,所述加熱控制裝置用于檢測加熱腔的當(dāng)前溫度;根據(jù)所述加熱腔的當(dāng)前溫度判斷所述加熱腔是否處于冷卻狀態(tài);如果判斷所述加熱腔處于冷卻狀態(tài),則根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計算初始加熱溫度,其中,所述初始加熱溫度小于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度;
所述加熱裝置用于根據(jù)所述初始加熱溫度對所述加熱腔進行逐步加熱。
12.如權(quán)利要求11所述的加熱控制系統(tǒng),其特征在于,所述加熱控制裝置還用于如果判斷所述加熱腔未處于冷卻狀態(tài),則控制加熱裝置根據(jù)所述當(dāng)前溫度和設(shè)定的目標(biāo)溫度對所述加熱腔進行加熱。
13.如權(quán)利要求11所述的加熱控制系統(tǒng),其特征在于,其中,所述加熱裝置還用于按照調(diào)整步長逐步地提高所述初始加熱溫度,直至所述初始加熱溫度等于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度。
14.如權(quán)利要求13所述的加熱控制系統(tǒng),其特征在于,所述調(diào)整步長根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計算得到。
15.如權(quán)利要求14所述的加熱控制系統(tǒng),其特征在于,所述調(diào)整步長T2為T1/N,所述初始加熱溫度為T2×(I+2),其中,N為正整數(shù),I為調(diào)整次數(shù),T1為設(shè)定的目標(biāo)溫度,且(I+2)小于或等于N。
16.一種加熱腔,其特征在于,包括:
加熱腔本體;
設(shè)置在所述加熱腔本體之內(nèi)的多個加熱裝置;和
控制所述多個加熱裝置的加熱控制裝置,所述加熱控制裝置為權(quán)利要求6-10所述的加熱控制裝置。
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C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





