[發明專利]碲化鎘薄膜光伏裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201010604159.6
• 申請日: 2010-12-15
• 公開（公告）號: CN102130207A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: R·D·戈斯曼;J·A·德雷頓
• 申請（專利權）人: 初星太陽能公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/048;H01L31/042
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐晶;林森

1.制造基于碲化鎘的薄膜光伏裝置的方法，所述方法包括：

在透明導電氧化物層上從合金靶濺射阻抗性透明層，其中所述合金靶包含約3％重量-約22％重量的鋅以及錫；

在所述阻抗性透明層上形成硫化鎘層；

在所述硫化鎘層上形成碲化鎘層；和

在所述碲化鎘層上形成背接觸層。

2.權利要求1的方法，其中所述金屬合金靶包含約5％重量-約20％重量、優選約10％重量-約20％重量的元素鋅。

3.權利要求1或2的方法，其中所述阻抗性透明層在約15℃-約100℃、優選約100℃-約300℃的溫度下濺射。

4.前述權利要求中任一項的方法，其中所述阻抗性透明層在氧氣氛中從金屬合金靶DC濺射，其中所述合金靶包含約3％重量-約22％重量的元素鋅以及元素錫。

5.前述權利要求中任一項的方法，其中所述金屬合金靶由約5％重量-約20％重量的元素鋅以及元素錫組成，優選所述金屬合金靶由約10％重量-約20％重量的元素鋅以及元素錫組成。

6.前述權利要求中任一項的方法，其中所述氧氣氛包含約99％或更多氧氣。

7.前述權利要求中任一項的方法，其中所述氧氣氛具有約1毫托-約20毫托、優選約5毫托-約10毫托的壓力。

8.前述權利要求中任一項的方法，其中所述阻抗性透明層從陶瓷合金靶RF濺射，其中所述陶瓷合金靶包含鋅濃度為約5％摩爾分數-約33％摩爾分數的氧化鋅以及氧化錫，優選其中所述陶瓷合金靶包含鋅濃度為約5％摩爾分數-約20％摩爾分數的氧化鋅以及氧化錫，且更優選其中所述陶瓷合金靶由鋅濃度為約10％摩爾分數-約20％摩爾分數的氧化鋅以及氧化錫組成。

9.前述權利要求中任一項的方法，其中所述阻抗性透明層的厚度為約0.01μm-約1μm、優選為約0.1μm-約0.5μm。

10.碲化鎘薄膜光伏裝置(10)，其包括：

玻璃頂材(12)；

在所述玻璃頂材(12)上的透明導電氧化物層(14)；

在所述透明導電氧化物層(14)上的阻抗性透明層(16)，其中所述阻抗性透明層(16)包含氧化鋅濃度為約5％-約33％摩爾分數、優選約10％-約25％摩爾分數、更優選約10％-約20％摩爾分數的氧化鋅以及氧化錫的混合物；

在所述阻抗性透明層(16)上的硫化鎘層(18)；

在所述硫化鎘層(18)上的碲化鎘層(20)；和

在所述碲化鎘層(20)上的背接觸(22)。