[發明專利]碲化鎘薄膜光伏器件中的漸變合金碲化物層及其制造方法無效
| 申請號： | 201010604140.1 | 申請日： | 2010-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN102142475A | 公開（公告）日： | 2011-08-03 |
| 發明（設計）人： | S·D·費爾德曼-皮博迪 | 申請（專利權）人： | 初星太陽能公司 |
| 主分類號： | H01L31/048 | 分類號： | H01L31/048;H01L31/18;C23C14/06;C23C16/30 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;王忠忠 |
| 地址： | 美國科*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碲化鎘 薄膜 器件 中的 漸變 合金 碲化物層 及其 制造 方法 | ||
1.一種碲化鎘薄膜光伏器件，其包括：
硫化鎘層(18)；
在所述硫化鎘層(18)上的漸變合金碲化物層(22)；以及
在所述漸變合金碲化物層(22)上的背接觸(20)，
其中所述漸變合金碲化物層(22)具有在從所述硫化鎘層(18)向所述背接觸層(20)的方向上延伸的遞增合金濃度和遞減鎘濃度。
2.如權利要求1所述的碲化鎘薄膜光伏器件(10)，其中所述漸變合金碲化物層(22)包括碲化鋅、碲化鎂或碲化錳或其組合。
3.如權利要求1或2所述的碲化鎘薄膜光伏器件(10)，其中所述漸變合金碲化物層(22)包括基本上由鋅構成的合金使得所述漸變合金碲化物層(22)包括CdxZn1-xTe，其中0＜x＜1。
4.如權利要求1至3中任一項所述的碲化鎘薄膜光伏器件(10)，其中所述漸變合金碲化物層(22)包括Cd1-x(合金)xTe，其中鄰近所述硫化鎘層(18)處的x是大約0并且其中在所述背接觸層(20)的反面處x是大約1。
5.如權利要求1至4中任一項所述的碲化鎘薄膜光伏器件(10)，其中所述漸變合金碲化物層(22)限定直接放置在所述硫化鎘層(18)上的單層。
6.如權利要求1至4中任一項所述的碲化鎘薄膜光伏器件(10)，進一步包括在所述硫化鎘層(18)和所述漸變合金碲化物層(22)之間的碲化鎘層(20)。
7.如權利要求1至6中任一項所述的碲化鎘薄膜光伏器件(10)，其中所述漸變合金碲化物層(22)逐步形成并且包括多個層，隨著這些層更接近所述背接觸層(24)則它們具有遞增合金含量和遞減鎘含量。
8.如權利要求1至6中任一項所述的碲化鎘薄膜光伏器件(10)，其中所述漸變合金碲化物層(22)包括交替碲化鎘數字層和合金碲化物數字層，使得在從所述硫化鎘層(18)朝所述背接觸層(24)的方向上延伸的所述漸變合金碲化物層(22)的整個厚度上，隨著合金碲化物數字層厚度增加，碲化鎘數字層厚度減少。
9.一種用于制造如權利要求7所述的具有漸變碲化鎘結構的基于碲化鎘的薄膜光伏器件的方法，所述方法包括：
直接在硫化鎘層上逐步形成多個合金碲化物層，使得隨著這些層延伸遠離所述硫化鎘層，所述多個合金碲化物層具有遞增的合金含量和遞減的鎘含量。
10.一種用于制造如權利要求1至6或8中任一項所述的具有漸變碲化鎘結構的基于碲化鎘的薄膜光伏器件的方法，所述方法包括：
直接在碲化鎘層上形成漸變合金碲化物層，其中所述漸變合金碲化物層在遠離所述碲化鎘層的延伸上具有遞增的合金濃度和遞減的鎘濃度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
