[發明專利]壓阻MEMS諧振器

無效

• 申請號: 201010604008.0
• 申請日: 2010-12-22
• 公開（公告）號: CN102122934A
• 公開（公告）日: 2011-07-13
• 發明（設計）人: 格哈德·庫普斯;約瑟夫·托馬斯·馬丁內斯·范貝克
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H03H9/24
• 分類號: H03H9/24;B81B3/00;B81C1/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種壓阻MEMS諧振器，包括：錨(12)；諧振器本體(10)，安裝在錨上；致動器(16)，被安裝用于在諧振器上施加靜電力；以及壓阻讀出裝置，包括耦接至諧振器的納米線(18)，其中，諧振器本體具有至少100μm²的面積，納米線具有至多10^-14m²的橫截面。

2.根據權利要求1所述的諧振器，其中，納米線具有至多5×10^-15m²的橫截面。

3.根據前述權利要求中的任一項權利要求所述的諧振器，其中，納米線包括寬度小于100nm的結構。

4.根據前述權利要求中的任一項權利要求所述的諧振器，其中，納米線包括深度小于100nm的結構。

5.根據前述權利要求中的任一項權利要求所述的諧振器，其中，諧振器被制造在絕緣體上硅SOI層上。

6.根據權利要求5所述的諧振器，其中，納米線部分包括硅層的隔離的頂部部分。

7.根據權利要求5所述的諧振器，其中，納米線部分包括硅層的底部部分，所述底部部分上方的硅層部分被去除。

8.一種制造壓阻MEMS諧振器的方法，包括：

在絕緣體上硅襯底上形成錨(12)、安裝在錨上的諧振器本體(10)以及壓阻讀出裝置；以及

提供用于在諧振器上施加靜電力的致動器(16)；

其中，壓阻讀出裝置包括耦接至諧振器的納米線(18)，所述納米線(18)是通過蝕刻硅部分并將所述硅部分與絕緣體上硅層隔離而形成的，諧振器本體具有至少100μm²的面積，納米線具有至多10^-14m²的橫截面。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，蝕刻硅部分包括：

蝕刻第一寬度的硅線；

將硅線(21)的一部分(22)氧化，并蝕刻掉氧化的硅，以形成第二寬度的線(24)，其中第二寬度小于第一寬度。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，蝕刻硅部分還包括：將第二寬度的線(24)的頂部部分去除，以限定納米線部分為剩余底部部分。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，去除頂部部分包括：注入將第二寬度的線(24)的一部分非晶化到期望寬度的物質，以及將第二寬度的硅線的非晶化的部分去除。

12.根據權利要求9所述的方法，其中，蝕刻硅部分還包括：提供第二寬度的線的隔離的頂部部分，以限定納米線部分。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，提供隔離的頂部部分包括：在納米線部分的區域中，在下部硅部分(24)與上部硅部分(27)之間形成硅鍺層(26)；以及去除硅鍺層(26)，以隔離上部硅部分(27)。

14.根據權利要求8至12中任一項權利要求所述的方法，其中，隔離的部分具有小于100nm的深度以及小于100nm的線寬度。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，隔離的部分具有近似50nm的深度。