[發明專利]集成電路元件的形成方法

有效

• 申請號: 201010603970.2
• 申請日: 2010-12-22
• 公開（公告）號: CN102376638A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 郭正錚;陳承先
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/60;H01L21/48;G03F1/68;G03F7/20
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;劉文意

1.一種集成電路元件的形成方法，包括：

形成一凸塊下冶金層于一半導體基板上；

形成一光致抗蝕劑結構于該凸塊下冶金層上，其中該光致抗蝕劑結構包括一第一光致抗蝕劑膜與位于該第一光致抗蝕劑膜上的一第二光致抗蝕劑膜，且該第一光致抗蝕劑膜的光敏性不同于該第二光致抗蝕劑膜的光敏性；

形成一開口于該光致抗蝕劑結構中以露出部分的該凸塊下冶金層，其中該開口包括一第一開口位于該第一光致抗蝕劑膜中及一第二開口位于該第二光致抗蝕劑膜中，且該第一開口的底部直徑大于該第一開口的頂部直徑；

形成一導電層于該光致抗蝕劑結構的該開口中，且該導電層電性連接至露出的部分該凸塊下冶金層；以及

移除該光致抗蝕劑結構，其中該導電層形成一導電柱。

2.如權利要求1所述的集成電路元件的形成方法，其中該第一光致抗蝕劑膜與該第二光致抗蝕劑膜的組成為負光致抗蝕劑材料，且該第二光致抗蝕劑膜的光敏性大于該第一光致抗蝕劑膜的光敏性。

3.如權利要求1所述的集成電路元件的形成方法，其中該第一光致抗蝕劑膜與該第二光致抗蝕劑膜的組成為正光致抗蝕劑材料，且該第一光致抗蝕劑膜的光敏性大于該第二光致抗蝕劑膜的光敏性。

4.如權利要求1所述的集成電路元件的形成方法，其中該第一光致抗蝕劑膜比該第二光致抗蝕劑膜厚，且該第二開口的直徑小于該第一開口的底部直徑。

5.如權利要求1所述的集成電路元件的形成方法，更包括在移除該光致抗蝕劑結構的步驟前，先形成一蓋層于該開口中的該導電層上，以及形成一焊料層于該蓋層上，其中該蓋層包括鎳或鎳合金兩者中至少一者。

6.如權利要求1所述的集成電路元件的形成方法，其中該導電層包括銅或銅合金兩者中至少一者。

7.一種集成電路元件的形成方法，包括：

形成一凸塊下冶金層于一半導體基板上；

形成一第一光致抗蝕劑膜于該凸塊下冶金層上，該第一光致抗蝕劑膜具有一第一厚度與一第一光敏性；

形成一第二光致抗蝕劑膜于該第一光致抗蝕劑膜上，且該第二光致抗蝕劑膜具有一第二厚度與一第二光敏性；

其中該第二光敏性大于該第一光敏性，且該第二厚度大于該第一厚度；

進行一曝光工藝至該第二光致抗蝕劑膜與該第一光致抗蝕劑膜；

移除未曝光的部分該第二光致抗蝕劑膜以形成一第一開口；

移除未曝光的部分該第一光致抗蝕劑膜以露出部分該凸塊下冶金層，形成一第二開口于該第一開口下，以及形成一第三開口于該第二開口下；

其中該第一光致抗蝕劑膜圍繞該第二開口，且該第二開口的底部直徑大于該第二開口的頂部直徑；

形成一銅層于該第一開口、該第二開口、與該第三開口中以電性連接至露出的部分該凸塊下冶金層；以及

移除該第二光致抗蝕劑膜與該第一光致抗蝕劑膜，其中該銅層形成一銅柱。

8.如權利要求7所述的集成電路元件的形成方法，其中該第二開口的側壁與該凸塊下冶金層交會的夾角小于90度，其中該第二開口的底部直徑比該第二開口的頂部直徑大2μm以上。

9.一種集成電路元件的形成方法，包括：

形成一凸塊下冶金層于一半導體基板上；

形成一第一光致抗蝕劑膜于該凸塊下冶金層上，該第一光致抗蝕劑膜具有一第一厚度與一第一光敏性；

形成一第二光致抗蝕劑膜于該第一光致抗蝕劑膜上，且該第二光致抗蝕劑膜具有一第二厚度與一第二光敏性；

其中該第一光敏性大于該第二光敏性，且該第二厚度大于該第一厚度；

進行一曝光工藝至該第二光致抗蝕劑膜與該第一光致抗蝕劑膜；

移除曝光的部分該第二光致抗蝕劑膜以形成一第一開口；

移除曝光的部分該第一光致抗蝕劑膜以露出部分該凸塊下冶金層，形成一第二開口于該第一開口下，以及形成一第三開口于該第二開口下；

其中該第一光致抗蝕劑膜圍繞該第二開口，且該第二開口的底部直徑大于該第二開口的頂部直徑；

形成一銅層于該第一開口、該第二開口、與該第三開口中以電性連接至露出的部分該凸塊下冶金層；以及

移除該第二光致抗蝕劑膜與該第一光致抗蝕劑膜，其中該銅層形成一銅柱。

10.如權利要求9所述的集成電路元件的形成方法，其中該第二開口的側壁與該凸塊下冶金層交會的夾角小于90度，其中該第二開口的底部直徑比該第二開口的頂部直徑大2μm以上。