[發明專利]晶體管元件及其制造方法以及發光元件和顯示器

無效

• 申請號: 201010603931.2
• 申請日: 2007-03-22
• 公開（公告）號: CN102130299A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 橫山正明;中山健一
• 申請（專利權）人: 國立大學法人大阪大學;住友化學株式會社;大日本印刷株式會社;株式會社理光
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/40;H01L51/50;H01L27/32
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 郭煜;高旭軼

1.晶體管元件，其特征在于：該晶體管元件具備發射極、集電極，在發射極與集電極之間依次設有有機半導體層和厚度為40nm以下的基極。

2.權利要求1所述的晶體管元件，其特征在于：上述有機半導體層設置于上述發射極和上述基極之間以及上述集電極和上述基極之間。

3.權利要求1所述的晶體管元件，其特征在于：上述基極的表面具有凹凸形狀。

4.權利要求1所述的晶體管元件，其特征在于：上述有機半導體層具有結晶性，其結晶粒徑的大小是上述基極的厚度以上或者是基極厚度程度的大小，是可以在上述基極表面賦予凹凸形狀的大小。

5.權利要求1所述的晶體管元件，其特征在于：上述基極包含金屬，在該基極的一個面或者兩個面上形成該基極的氧化膜。

6.權利要求2所述的晶體管元件，其特征在于：設于上述集電極和上述基極之間的第1半導體層、和設于上述發射極和上述基極之間的第2半導體層用不同的半導體材料形成。

7.權利要求6所述的晶體管元件，其特征在于：上述第1半導體層和上述第2半導體層由空穴傳輸材料或電子傳輸材料形成。

8.權利要求2所述的晶體管元件，其特征在于：設于上述集電極和上述基極之間的第1半導體層的厚度T1、以及設于上述發射極和上述基極之間的第2半導體層的厚度T2的比(T1/T2)在1/1-10/1的范圍內。

9.權利要求1所述的晶體管元件，其特征在于：在上述發射極和與該發射極鄰接的半導體層之間具有電荷注入層。

10.權利要求9所述的晶體管元件，其特征在于：上述電荷注入層含有LiF、Ca等堿金屬或其化合物。

11.電子裝置，其特征在于：在具有晶體管元件作為開關元件的電子裝置中，晶體管元件具備發射極、集電極，在發射極與集電極之間依次設有有機半導體層和厚度為40nm以下的基極。

12.發光元件，其特征在于：該發光元件具備發射極、集電極，在發射極與集電極之間依次設有有機半導體層和厚度為40nm以下的基極，而且，基極和集電極之間設有有機EL層，有機EL層含有1層以上的發光層。

13.權利要求12所述的發光元件，其特征在于：上述有機EL層具有選自空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴注入層和電子注入層中的1個或2個以上的層。

14.權利要求12所述的發光元件，其特征在于：上述有機EL層具有激子阻擋層。

15.顯示器，其特征在于：該顯示器具備基板、基板上的發光元件，發光元件具備發射極、集電極，在發射極與集電極之間依次設有有機半導體層和厚度為40nm以下的基極，而且，基極和集電極之間設有有機EL層，有機EL層含有1層以上的發光層。