[發(fā)明專利]一種進(jìn)行圓片級(jí)電互連與引出的裝置及其加工方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010603002.1
• 申請(qǐng)日: 2010-12-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102110667A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王珍;王磊;唐潔影;黃慶安
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L21/60
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種進(jìn)行圓片級(jí)電互連與引出的裝置，其特征在于：所述裝置包括硅圓片(1)和基板(4)，在硅圓片(1)上加工有一個(gè)以上帶斜坡邊緣的微電子芯片(2)、隔離槽和連接梁，所述隔離槽為微電子芯片(2)之間的鏤空部位，硅圓片(1)上的微電子芯片(2)、隔離槽和連接梁以外的其他實(shí)體部位為外圍框架(8)，微電子芯片(2)通過(guò)連接梁與外圍框架(8)相連接；所述硅圓片(1)固定在基板(4)上；所述微電子芯片(2)上設(shè)置有芯片焊盤(52)，所述基板(4)上設(shè)置有基板焊盤(51)，所述基板焊盤(51)位于基板(4)與隔離槽相對(duì)應(yīng)的位置處，所述芯片焊盤(52)和基板焊盤(51)通過(guò)圓片級(jí)PI和銅互連工藝連接形成電互連和電引出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的進(jìn)行圓片級(jí)電互連與引出的裝置，其特征在于：每一個(gè)微電子芯片(2)通過(guò)四個(gè)連接梁與外圍框架(8)相連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的進(jìn)行圓片級(jí)電互連與引出的裝置的加工方法，其特征在于：所述加工方法包括如下步驟：

(a1)在襯底硅圓片(1)上制作一個(gè)以上微電子芯片(2)，利用標(biāo)準(zhǔn)光刻和硅的各向異性腐蝕的方法刻蝕出微電子芯片(2)的斜坡面、隔離槽和連接梁，硅圓片(1)上的微電子芯片(2)、隔離槽和連接梁以外的其他實(shí)體部位為外圍框架(8)；在微電子芯片(2)上制作芯片焊盤(52)；

(a2)制作基板(4)以及基板焊盤(51)，使基板焊盤(51)位于基板(4)上與隔離槽相對(duì)應(yīng)的位置處；

(a3)將硅圓片(1)與基板(4)進(jìn)行鍵合；

(a4)通過(guò)圓片級(jí)PI與銅互連工藝，在芯片焊盤(52)和基板焊盤(51)之間形成電互連和電引出，具體包括如下步驟：

(a41)在微電子芯片(2)表面涂覆一層PI層(6)后，圖形化PI層(6)；

(a42)在PI外側(cè)濺射兩層UMB后，圖形化UBM；

(a43)在UBM外側(cè)鍍銅層(7)，實(shí)現(xiàn)微電子芯片(2)與基板(4)的電互連；

(a5)對(duì)電互連結(jié)構(gòu)的區(qū)域進(jìn)行劃片，形成具有帶斜坡邊緣的微電子芯片裝置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的進(jìn)行圓片級(jí)電互連與引出的裝置的加工方法，其特征在于：所述基板(4)為玻璃基板或者硅基板。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的進(jìn)行圓片級(jí)電互連與引出的裝置的加工方法，其特征在于：所述加工方法包括如下步驟：

(b1)在襯底硅圓片(1)上制作一個(gè)以上微電子芯片(2)，利用標(biāo)準(zhǔn)光刻和硅的各向異性腐蝕的方法刻蝕出微電子芯片(2)的斜坡面、隔離槽和連接梁，硅圓片(1)上的微電子芯片(2)、隔離槽和連接梁以外的其他實(shí)體部位為外圍框架(8)；在微電子芯片(2)上制作芯片焊盤(52)；

(b2)制作基板(4)以及基板焊盤(51)，使基板焊盤(51)位于基板(4)上與隔離槽相對(duì)應(yīng)的位置處；

(b3)將硅圓片(1)粘到基板(4)上；

(b4)通過(guò)圓片級(jí)PI與銅互連工藝，在芯片焊盤(52)和基板焊盤(51)之間形成電互連和電引出，具體包括如下步驟：

(b41)在微電子芯片(2)表面涂覆一層PI層(6)后，圖形化PI層(6)；

(b42)在PI外側(cè)濺射兩層UMB后，圖形化UBM；

(b43)在UBM外側(cè)鍍銅層(7)，實(shí)現(xiàn)微電子芯片(2)與基板(4)的電互連；

(b5)對(duì)電互連結(jié)構(gòu)的區(qū)域進(jìn)行劃片，形成具有帶斜坡邊緣的微電子芯片裝置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有斜倒角的芯片裝置的加工方法，其特征在于：所述基板(4)為陶瓷基板或者PCB板。