[發(fā)明專利]一種IGBT關(guān)斷浪涌電壓箝位及抑制電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010602991.2 | 申請日： | 2010-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN102082429A | 公開（公告）日： | 2011-06-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 吳瑞;王野;閆永亮;顧偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 奇瑞汽車股份有限公司 |
| 主分類號： | H02H9/04 | 分類號： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京五月天專利商標代理有限公司 11294 | 代理人： | 吳寶泰;何宜章 |
| 地址： | 241009 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 igbt 浪涌 電壓 箝位 抑制 電路 | ||
1.一種IGBT關(guān)斷浪涌電壓箝位及抑制電路，其特征在于，包括：雙電源驅(qū)動放大電路、瞬態(tài)抑制二極管電路、IGBT薄膜吸收電容、VCE檢測電路以及IGBT驅(qū)動芯片，其中雙電源驅(qū)動放大電路包括正電源(VCC)、負電源(VEE)、PNP三極管(Q1)、NPN三極管(Q2)、門極關(guān)斷電阻(R2)、門極開啟電阻(R3)以及限流電組(R1)，PNP三極管(Q1)和NPN三極管(Q2)組成集電極互補推挽功率驅(qū)動放大電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT關(guān)斷浪涌電壓箝位及抑制電路，其特征在于，PNP三極管(Q1)的基極與限流電組(R1)相連，集電極與正電源(VCC)相連，發(fā)射極接門極開啟電阻(R2)后與IGBT的門極端(G)相連，為IGBT的開啟提供正向偏壓；NPN三極管(Q2)的基極與限流電組(R1)相連，集電極與負電源(VEE)相連，發(fā)射極接門極關(guān)斷電阻(R3)后與IGBT的門極端(G)相連，為IGBT的關(guān)斷提供負向偏壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IGBT關(guān)斷浪涌電壓箝位及抑制電路，其特征在于，門極關(guān)斷電阻(R3)的阻值大于門極開啟電阻(R2)的阻值。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的IGBT關(guān)斷浪涌電壓箝位及抑制電路，其特征在于，瞬態(tài)抑制二極管電路并聯(lián)在IGBT的C-E極上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的IGBT關(guān)斷浪涌電壓箝位及抑制電路，其特征在于，瞬態(tài)抑制二極管電路包括瞬態(tài)電壓抑制二極管(D1)、快恢復可控整流二極管(D2)和雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管(D3)，其中瞬態(tài)電壓抑制二極管(D1)和快恢復可控整流二極管(D2)并聯(lián)在IGBT的C-G極之間，雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管(D3)并聯(lián)在IGBT的G-E極之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-5任一項所述的IGBT關(guān)斷浪涌電壓箝位及抑制電路，其特征在于，IGBT驅(qū)動芯片的驅(qū)動信號引腳經(jīng)限流電阻(R1)連接到PNP三極管(Q1)和NPN三極管(Q2)的基極。
7.根據(jù)權(quán)利1-6任一項所述的IGBT關(guān)斷浪涌電壓箝位及抑制電路，其特征在于，IGBT薄膜吸收電容(C1)并聯(lián)在IGBT的C-E極上，且盡量與C-E極的連線短，用于吸收高頻的母線電壓尖峰。
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