[發(fā)明專利]一種新型管道漏磁腐蝕檢測(cè)用地面標(biāo)記器

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010602259.5
• 申請(qǐng)日: 2010-12-23
• 公開（公告）號(hào): CN102128353A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳順生;姜群發(fā);王輝;馬明利;張殿革;楊林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大慶油田有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): F17D5/02
• 分類號(hào): F17D5/02
• 代理公司: 大慶知文知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 23115
• 代理人: 李建華

1.一種新型管道漏磁腐蝕檢測(cè)用地面標(biāo)記器，包括MCU處理器，以及為MCU處理器提供工作電源的電源模塊，以及MCU處理器控制下的聲光報(bào)警電路，以及MCU處理器控制下的校時(shí)通信單元，其特征在于：所述MCU處理器采用MSP430F149單片機(jī)；所述地面標(biāo)記器還包括一個(gè)磁傳感器單元、一個(gè)時(shí)鐘單元以及一個(gè)存儲(chǔ)單元；其中，所述磁傳感器單元由霍爾傳感器AD22151芯片及其外圍電阻和電容組成，霍爾傳感器輸出管腳接上拉電阻后連接到所述MSP430F149單片機(jī)的59管腳，即由此霍爾傳感器輸出的隨磁場(chǎng)變化的電壓信號(hào)經(jīng)過信號(hào)調(diào)整和轉(zhuǎn)換后輸入到所述MCU處理器的信號(hào)輸入端；所述時(shí)鐘單元由高精度溫補(bǔ)晶振TC20-NABIC、可編程邏輯芯片?EPM3032ATC44-10以及時(shí)鐘芯片AD1390構(gòu)成，其中，所述高精度溫補(bǔ)晶振為4.194304MHZ，此晶振所提供的4MHZ的脈沖經(jīng)過所述可編程邏輯芯片?進(jìn)行?128分頻后得到32768HZ脈沖作為所述時(shí)鐘芯片AD1390震蕩源；所述存儲(chǔ)單元采用STC62WV1024TC數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片，所述單片機(jī)的P3.0~P3.4管腳鏈接至此數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片的控制引腳，所述單片機(jī)的P4管腳接此數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)引腳，所述單片機(jī)的P2和P5管腳接此數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片的地址引腳，所述單片機(jī)的P3.5管腳接此數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片的地址引腳最高位A16。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型管道漏磁腐蝕檢測(cè)用地面標(biāo)記器，其特征在于：所述校時(shí)通信單元還包括一個(gè)MAX3485芯片以及一個(gè)SN65LVDS048芯片，所述MAX3485芯片由所述單片機(jī)的P1.2管腳來控制數(shù)據(jù)傳輸方向；所述SN65LVDS048芯片接收來自于所述MAX3485芯片的信號(hào)后，采用差分信號(hào)方式傳輸校時(shí)脈沖。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型管道漏磁腐蝕檢測(cè)用地面標(biāo)記器，其特征在于：應(yīng)用于所述磁傳感器單元中的霍爾傳感器的測(cè)量范圍在+6?高斯~-6高斯之間。