[發明專利]壓控振蕩器的偏置電路

有效

• 申請號: 201010602123.4
• 申請日: 2010-12-23
• 公開（公告）號: CN102545780A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 陳敏強;盛懷茂;郝鋒
• 申請（專利權）人: 鼎億數碼科技（上海）有限公司
• 主分類號: H03B5/32
• 分類號: H03B5/32;G05F3/26
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種壓控振蕩器的偏置電路，偏置電路包括基準電流源、第一組電流鏡和第二組電流鏡；

所述第一組電流鏡和所述第二組電流鏡分別包括基準電流路徑和鏡像電流路徑，所述第一組電流鏡的基準電流路徑的第一MOS管和鏡像電流路徑的第二MOS管為類型相同的等比例晶體管，所述第一MOS管的柵極、漏極和所述第二MOS管柵極相連，所述第一MOS管的源極和所述第二MOS管的源極相連；所述第二組電流鏡的基準電流路徑的第三MOS管和鏡像電流路徑的第四MOS管為類型相同的等比例晶體管，所述第三MOS管和所述第四MOS管的類型和所述第一MOS管和所述第二MOS管的類型相反；

所述基準電流源和所述第一組電流鏡的基準電流路徑相連；所述第一組電流鏡的鏡像電流路徑和所述第二組電流鏡的基準電流路徑相連，所述第二組電流鏡的鏡像電流路徑和壓控振蕩器相連；工作時，所述基準電流源為所述第一組電流鏡的基準電流路徑提供第一基準電流，在所述第一組電流鏡的鏡像電流路徑和所述第二組電流鏡的基準電流路徑中流過第一偏置電流，在所述第二組電流鏡的鏡像電流路徑中流過第二偏置電流，所述第二偏置電流提供給所述壓控振蕩器工作；

其特征在于：所述第二組電流鏡還包括一低通濾波器；所述低通濾波器包括第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，所述第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管的類型和所述第三MOS管和所述第四MOS管的類型相同；

所述第五MOS管連接于所述第二組電流鏡的基準電流路徑上，所述第五MOS管的柵極、漏極和所述第六MOS管的柵極相連、并和所述第一組電流鏡的鏡像電流路徑相連；所述第五MOS管的源極、所述第三MOS管的漏極和柵極、所述第六MOS管的源極相連；所述第六MOS管的漏極、所述第四MOS管的柵極、所述第七MOS管的柵極相連；所述第七MOS管的源極和漏極、所述第三MOS管的源極、所述第四MOS管的源極相連；

工作時，所述第五MOS管工作于飽和區，所述第五MOS管的柵源電壓使所述第六MOS管導通并工作于線性區并形成一MOS管電阻，所述第七MOS管形成一MOS管電容，所述第六MOS管的電阻和所述第七MOS管的電容一起形成所述低通濾波器的電阻電容濾波單元，所述低通濾波器濾除所述基準電流源的噪聲。

2.如權利要求1所述壓控振蕩器的偏置電路，其特征在于：所述第六MOS管的導通電阻的大小通過所述第五MOS管的溝道寬長比、所述第六MOS管的溝道寬長比和所述第一偏置電流的大小進行調節。

3.如權利要求1所述壓控振蕩器的偏置電路，其特征在于：所述第七MOS管的尺寸大于所述第四MOS管的尺寸，所述第七MOS管形成的電容大于所述第四MOS管的柵源電容。

4.如權利要求1所述壓控振蕩器的偏置電路，其特征在于：所述基準電流源為帶隙基準電流源。

5.如權利要求1所述壓控振蕩器的偏置電路，其特征在于：所述第一MOS管和所述第二MOS管為NMOS管；所述第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管為PMOS管；所述第一MOS管的源極和所述第二MOS管的源極接地；所述第三MOS管的源極和所述第四MOS管的源極接電源電壓。

6.如權利要求5所述壓控振蕩器的偏置電路，其特征在于：所述低通濾波器還包括第八MOS管，所述第八MOS管為PMOS開關管；所述第八MOS管的源極和所述第六MOS管的源極相連、所述第八MOS管的漏極和所述第六MOS管的漏極相連，所述第八MOS管的柵極接控制電壓；所述控制電壓控制所述第八MOS管在所述偏置電路接通瞬間開啟，加快所述第六MOS管的開啟速度，所述第六MOS管開啟后，所述控制電壓控制所述第八MOS管關閉。

7.如權利要求6所述壓控振蕩器的偏置電路，其特征在于：所述控制電壓由一控制電路產生，所述控制電路包括第九MOS管、第十MOS管、第一電阻、第二電阻和一遲滯電壓比較器；所述第九MOS管和所述第十MOS管為具有相同尺寸的PMOS管，所述第一電阻和所述第二電阻的電阻值相同；所述第九MOS管的源極和所述第十MOS管的源極都接電源電壓，所述第九MOS管的漏極、所述第一電阻的第一端、所述遲滯電壓比較器的反相輸入端相連，所述第十MOS管的漏極、所述第二電阻的第一端、所述遲滯電壓比較器的同相輸入端相連，所述第九MOS管的柵極接所述第六MOS管的源極，所述第十MOS管的柵極接所述第六MOS管的漏極，所述第一電阻的第二端和所述第二電阻的第二端接地。

8.如權利要求5所述壓控振蕩器的偏置電路，其特征在于：所述第一組電流鏡的基準電流路徑由所述第一MOS管組成、所述第一組電流鏡的鏡像電流路徑由所述第二MOS管組成，所述基準電流源和所述第一MOS管的漏極連接；所述第二組電流鏡的基準電流路徑由所述第三MOS管和所述第五MOS管組成、所述第二組電流鏡的鏡像電流路徑由所述第四MOS管組成，所述第五MOS管的漏極和所述第二MOS管的漏極連接，所述第四MOS管的漏極和所述壓控振蕩器連接。