[發(fā)明專利]淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010602022.7
• 申請日: 2010-12-22
• 公開（公告）號: CN102569162A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王新鵬;王軍;宋銘峰
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，該方法包括：

在半導(dǎo)體襯底上依次形成墊氧化物層和氮化物層，并對所述氮化物層、墊氧化物層和半導(dǎo)體襯底刻蝕，形成溝槽；

在所述溝槽內(nèi)壁形成內(nèi)襯氧化物層，并在所述溝槽中填充氧化物；

去除所述氮化物層；

形成隔離側(cè)壁層，所述形成的隔離側(cè)壁層位于所述墊氧化物層之上、且環(huán)繞所述溝槽；

將未被所述隔離側(cè)壁層覆蓋的墊氧化物層去除。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成隔離側(cè)壁層的方法包括：

沉積氮化硅，所述沉積的氮化硅覆蓋在墊氧化物層表面、氧化物表面以及暴露出來的內(nèi)襯氧化物層的表面；

對氮化硅進(jìn)行刻蝕，形成隔離側(cè)壁層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述沉積的氮化硅的厚度為100埃至300埃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成隔離側(cè)壁層的方法包括：

沉積氮氧化硅，所述沉積的氮氧化硅覆蓋在墊氧化物層表面、氧化物表面以及暴露出來的內(nèi)襯氧化物層的表面；

對氮氧化硅進(jìn)行刻蝕，形成隔離側(cè)壁層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述沉積的氮氧化硅的厚度為100埃至300埃。

6.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的方法，其特征在于，所述隔離側(cè)壁層底部的寬度為80埃至300埃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將未被隔離側(cè)壁層覆蓋的墊氧化物層去除后，該方法進(jìn)一步包括：將隔離側(cè)壁層去除。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述去除隔離側(cè)壁層的方法為：采用熱磷酸對隔離側(cè)壁層進(jìn)行濕法刻蝕。