[發明專利]一種耐壓釹銩氮化硅陶瓷的制備方法

無效

• 申請號: 201010601386.3
• 申請日: 2010-12-20
• 公開（公告）號: CN102531621A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 陳海*
• 申請（專利權）人: 蘇州中鋯新材料科技有限公司
• 主分類號: C04B35/584
• 分類號: C04B35/584;C04B35/63;C04B35/622
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• 代理人: 暫無信息

1.一種耐壓釹銩氮化硅陶瓷的制備方法所涉及的氧化銩氧化釹作為添加劑無壓燒結生產的氮化硅陶瓷，組分及質量百分比含量為：氧化銩3％～7％，氧化釹5％～8％，氮化硅85％～92％。所述的氧化銩粒度3～6微米，氧化釹粒度5～7微米，氮化硅粒度0.4～0.7微米。

2.根據權利要求1所述的一種耐壓釹銩氮化硅陶瓷的制備方法所涉及的氧化銩氧化釹作為添加劑無壓燒結生產的氮化硅陶瓷方法，包括如下步驟：

步驟一，分別稱取氧化銩氧化釹和氮化硅陶瓷粉體，在行星式球磨機中以每分鐘270～330轉混合2小時，分散介質為無水乙醇，隨后在60℃烘干，時間為2～3小時，得到混合均勻的氧化銩氧化釹和氮化硅陶瓷混合粉體；

步驟二，將步驟一的混合粉體在75～100Mpa壓力下成型，形成素坯；

步驟三，將步驟二中的素坯在真空碳管爐中在氮氣保護下，在1400～1550℃溫度下保溫12～18小時。

步驟四，將步驟三中燒成的氮化硅陶瓷取出，檢測體積密度和力學性能。

3.根據權利要求2所述的一種耐壓釹銩氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于步驟一中所述氧化銩的重量百分比為3％～7％，氧化釹的重量百分比為5％～8％，氮化硅的重量百分比為85％～92％。

4.根據權利要求2所述的一種耐壓釹銩氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于步驟一中，所述氮化硅中α-Si₃N₄含量大于90％。

5.根據權利要求2所述的一種耐壓釹銩氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于步驟一中，所述氧化銩氧化釹中含量均大于98％。

6.根據權利要求2所述的一種耐壓釹銩氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于步驟三中，所述氮氣的壓力為1～2大氣壓。

7.根據權利要求2所述的一種耐壓釹銩氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于步驟四中，所述力學性能為抗折強度。