[發明專利]一種發光二極管芯片電極制作中的剝離方法有效
| 申請號： | 201010600918.1 | 申請日： | 2010-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN102569538A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 朱廣敏;郝茂盛;潘堯波;張楠;陳誠;袁根如;齊勝利;李士濤 | 申請（專利權）人： | 上海藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/36;G03F7/00;G03F7/38;G03F7/32;G03F7/20;G03F7/40 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 芯片 電極 制作 中的 剝離 方法 | ||
1.一種發光二極管芯片電極制作中的剝離方法，其特征在于，采用正性光刻膠進行光刻，其光刻過程如下：
步驟一、處理基片表面；
步驟二、在處理后的基片表面涂覆正性光刻膠；
步驟三、對所述表面涂覆有正性光刻膠的基片進行前烘；
步驟四、采用顯影液浸泡所述前烘后的表面涂覆有正性光刻膠的基片；
步驟五、將所述采用顯影液浸泡后的表面涂覆有正性光刻膠的基片置于掩模板下曝光；
步驟六、對所述曝光后表面涂覆有正性光刻膠的基片烘烤；
步驟七、對所述烘烤后的表面涂覆有正性光刻膠的基片顯影；
步驟八、對所述顯影后的表面涂覆有正性光刻膠的基片堅膜。
2.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片電極制作中的剝離方法，其特征在于：步驟一中處理基片表面的方法為在基片表面熏或涂增粘劑。
3.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片電極制作中的剝離方法，其特征在于：步驟三前烘時，溫度為120℃-90℃，時間為2-4分鐘。
4.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片電極制作中的剝離方法，其特征在于：步驟四中采用濃度為2.38％的氫氧化四甲銨溶液作為所述顯影液。
5.根據權利要求4所述的一種發光二極管芯片電極制作中的剝離方法，其特征在于：步驟四浸泡所述顯影液的溫度為30℃-20℃，時間為2-5分鐘。
6.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片電極制作中的剝離方法，其特征在于：步驟五曝光時，曝光能量為90-180mJ。
7.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片電極制作中的剝離方法，其特征在于：步驟六中，曝光后烘烤的溫度為140℃-100℃，時間為40秒-120秒。
8.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片電極制作中的剝離方法，其特征在于：步驟七顯影時，采用濃度為2.38％的氫氧化四甲銨溶液作為顯影液，顯影時間為50-70秒。
9.根據權利要求8所述的一種發光二極管芯片電極制作中的剝離方法，其特征在于：步驟七顯影時，所述顯影液的溫度為20℃，時間為60秒。
10.根據據權利要求1所述的一種發光二極管芯片電極制作中的剝離方法，其特征在于：步驟八中，堅膜溫度為120℃，時間為10分鐘-15分鐘。
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