[發明專利]一種發光二極管芯片結構無效
| 申請號： | 201010599803.5 | 申請日： | 2010-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN102569575A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 張楠;劉亞柱;陳誠;袁根如;郝茂盛 | 申請（專利權）人： | 上海藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 芯片 結構 | ||
1.一種發光二極管芯片結構，包括：N型半導體層、位于所述N型半導體層之上的有源層、位于所述有源層之上的P型半導體層、與所述N型半導體層電連接的N電極以及與所述P型半導體層電連接的P電極，其特征在于：在所述P型半導體層之上設有絕緣阻隔結構；
在所述絕緣阻隔結構上設有P型透明導電層，所述P型透明導電層將所述絕緣阻隔結構包裹；
所述P電極與所述P型透明導電層接觸。
2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片結構，其特征在于：所述絕緣阻隔結構為設有多個通孔的絕緣層。
3.根據權利要求2所述的發光二極管芯片結構，其特征在于：所述絕緣層厚度為0.01-0.2μm。
4.根據權利要求2所述的發光二極管芯片結構，其特征在于：所述通孔直徑為0.01-10μm，多個所述通孔之間的間隔為0.01-10μm。
5.根據權利要求1所述的發光二極管芯片結構，其特征在于：所述絕緣阻隔結構包括多個柱狀絕緣結構。
6.根據權利要求5所述的發光二極管芯片結構，其特征在于：所述柱狀絕緣結構高為0.01-0.2μm，寬為0.01-10μm，多個所述柱狀絕緣結構之間的間隔為0.01-10μm。
7.根據權利要求1所述的發光二極管芯片結構，其特征在于：所述絕緣阻隔結構采用氧化硅或氮化硅材料。
8.根據權利要求1所述的發光二極管芯片結構，其特征在于：所述P型透明導電層的厚度為0.2-0.5μm。
9.根據權利要求1所述的發光二極管芯片結構，其特征在于：所述P型透明導電層的表面為粗化結構。
10.根據權利要求1所述的發光二極管芯片結構，其特征在于：所述P型透明導電層為ITO材料。
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