[發明專利]直流離子風機高效能高壓包有效
| 申請號: | 201010599783.1 | 申請日: | 2010-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN102026464A | 公開(公告)日: | 2011-04-20 |
| 發明(設計)人: | 成玉磊;趙雷;孫玉榮;王洪萬 | 申請(專利權)人: | 蘇州天華超凈科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H05F3/06 | 分類號: | H05F3/06;H02M9/02 |
| 代理公司: | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人: | 陸明耀;姚姣陽 |
| 地址: | 215121 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 直流 離子 風機 高效能 高壓包 | ||
技術領域
本發明涉及一種直流離子風機高效能高壓包,尤其涉及一種防靜電直流離子風機高效能高壓包。
背景技術
離子風機是一種防靜電電子產品,一般由高壓包、風機和發射針架三部分組成。離子風機分為直流和交流兩種,所謂直流離子風機是由高壓包產生正、負兩種高壓輸出端分別通過發射針向空氣介質輸出兩種穩定的直流高壓。由以上原理和結構可知,高壓包是一種產生直流高壓的部件,是離子風機的核心部件。
現有技術中,直流離子風機的高壓包的代表性結構可參見中國專利公報于2010年9月15日公開的,公開號為CN101835333A,名稱為《一種離子風機高壓包》的發明專利申請。該專利申請中公開了一種離子風機離壓包,該高壓包包括兩個高壓變壓器,每個高壓變壓器的輸入端連接各自作為輸入電源的振蕩電路單元,輸出端連接各自的整流單元。該專利申請公開的方案的主要點是正電壓、負電壓兩路調整,使輸出高壓更加穩定,使離子風機的平衡電壓參數能更接近于0V。但,上述專利申請方案中僅提到振蕩電路單元中的三極管基極是電連接一名為“離子風機高壓調節模擬電壓輸出電路”的電路,并沒有公開其具體結構。而“離子風機高壓調節模擬電壓輸出電路”是高壓包的重要組成部分,人們需要控制該電路的輸出,來保證高壓包輸出的正電壓和負電壓值的精確可調。現市場上雖有很多種電源電路,但大多結構復雜、功耗高,發熱量高,不能適用于此。
發明內容
本發明的目的在于解決上述的技術問題,提供一種直流離子風機高效能高壓包。
本發明的目的通過以下技術方案來實現:
一種直流離子風機高效能高壓包,包括正高壓產生電路和負高壓產生電路,所述正高壓產生電路包括第一高壓變壓器及與第一高壓變壓器的次級線圈連接的第一倍壓整流電路,負高壓產生電路包括第二高壓變壓器及與第二高壓變壓器的次級線圈連接的第二倍壓整流電路;
所述第一高壓變壓器的初級線圈上并聯第一電容,該第一電容的一端上接電源輸入正極,另一端接第一場效應管的漏極,而第一場效應管的源極接地;所述第二高壓變壓器的初級線圈上并聯第二電容,該第二電容的一端接電源輸入負極,另一端接第二場效應管的漏極,而第二場效應管的源極接地;所述第一場效應管和第二場效應管均為N溝增強型MOS管;
本高壓包還包括一脈沖發生器,該脈沖發生器包括一可調電阻、可控硅、電感、第三電容及穩壓二極管,所述可調電阻的一端接控制電源正極,另一端接所述可控硅的陽極,而可控硅的陰極接所述電感一端,該電感另一端接地;所述第三電容一端接于可控硅的陽極,其另一端接地;而所述可控硅的控制極接所述穩壓二極管的陽極,穩壓二極管的陰極接于可控硅的陽極上;所述可控硅的陰極上接出一路作為輸出,該輸出接于所述第一場效應管的柵極和第二場效應管的柵極上,向第一場效應管和第二場效應管提供脈沖電壓。
進一步地,所述第一倍壓整流電路和第二倍壓整流電路的輸出端上均串接有接地保護電阻。
進一步地,所述可控硅采用MCR100系列芯片,而所述第一場效應管和第二場效應管采用IRFU214系列芯片。
本發明的有益效果主要體現在:本發明的直流離子風機高壓包通過采用電容、場效應管以及與特別的脈沖發生器配合產生大小可控的交變振蕩波形,且輸出的正電壓和負電壓精確可調;本發明采用的脈沖發生器具有工作可靠、功耗小、發熱小的優點。
附圖說明
下面結合附圖對本發明技術方案作進一步說明。
圖1:本發明的優選實施例電路原理圖。
具體實施方式
本發明揭示了一種直流離子風機高效能高壓包,如圖1所示,一種直流離子風機高效能高壓包,包括正高壓產生電路和負高壓產生電路,所述正高壓產生電路包括第一高壓變壓器T1及與第一高壓變壓器T1的次級線圈連接的第一倍壓整流電路,負高壓產生電路包括第二高壓變壓器T2及與第二高壓變壓器T2的次級線圈連接的第二倍壓整流電路。
所述第一高壓變壓器T1的初級線圈上并聯第一電容C2,該第一電容C2的一端上接電源輸入正極VIN+,另一端接第一場效應管Q1的漏極,而第一場效應管Q1的源極接地;所述第二高壓變壓器T2的初級線圈上并聯第二電容C8,該第二電容C8的一端接電源輸入負極VIN-,另一端接第二場效應管Q2的漏極,而第二場效應管Q2的源極接地;所述第一場效應管Q1和第二場效應管Q2均為N溝增強型MOS管。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州天華超凈科技股份有限公司,未經蘇州天華超凈科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010599783.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:線路板的基材及其鉆孔方法
- 下一篇:新型木質防火門及制備方法





