[發(fā)明專利]金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備及其腔室組件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010599492.2 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102560431A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐亞偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/455 | 分類號(hào): | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 張大威 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬 有機(jī)化學(xué) 沉積 設(shè)備 及其 組件 | ||
1.一種腔室組件,其特征在于,包括:
腔室本體,所述腔室本體包括反應(yīng)腔室,且所述腔室本體還包括用于向所述反應(yīng)腔室供氣的進(jìn)氣通道和用于從所述反應(yīng)腔室排出氣體的排氣通道;和
設(shè)置于所述反應(yīng)腔室內(nèi)的第一托盤和第二托盤,且所述第一托盤的晶片承載面與所述第二托盤的晶片承載面相對(duì)。
2.如權(quán)利要求1所述的腔室組件,其特征在于,還包括:
第一轉(zhuǎn)軸,所述第一轉(zhuǎn)軸與所述第一托盤相連,用于旋轉(zhuǎn)所述第一托盤;和
第二轉(zhuǎn)軸,所述第二轉(zhuǎn)軸與所述第二托盤相連,用于旋轉(zhuǎn)所述第二托盤。
3.如權(quán)利要求1所述的腔室組件,其特征在于,還包括:
第一加熱部件,所述第一加熱部件用于加熱所述第一托盤;和
第二加熱部件,所述第二加熱部件用于加熱所述第二托盤。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的腔室組件,其特征在于,所述第一加熱部件和所述第二加熱部件為電阻加熱元件,其中,所述第一加熱部件與所述第一托盤的上表面接觸,且所述第二加熱部件與所述第二托盤的下表面接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的腔室組件,其特征在于,所述第一加熱部件和所述第二加熱部件為感應(yīng)加熱線圈,且所述第一加熱部件與所述第一托盤的上表面之間以及所述第二加熱部件與所述第二托盤的下表面之間分別具有預(yù)定間隔,其中,在所述第一加熱部件與所述第一托盤的上表面之間以及在所述第二加熱部件與所述第二托盤的下表面之間分別設(shè)有隔離件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的腔室組件,其特征在于,所述隔離件包括石英或陶瓷。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔室組件,其特征在于,還包括:
第三轉(zhuǎn)軸,所述第一托盤和第二托盤分別套接在所述第三轉(zhuǎn)軸之上,所述第三轉(zhuǎn)軸用于旋轉(zhuǎn)所述第一托盤和第二托盤。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔室組件,其特征在于,還包括:
第三感應(yīng)加熱部件,所述第三感應(yīng)加熱部件均勻地分布在所述反應(yīng)腔室的內(nèi)周壁上,用于加熱所述第一托盤和第二托盤。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的腔室組件,其特征在于,所述第二轉(zhuǎn)軸具有軸向通孔,所述進(jìn)氣通道穿過所述軸向通孔及所述第二托盤并延伸至所述第一托盤和第二托盤之間以向所述反應(yīng)腔室供氣。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的腔室組件,其特征在于,還包括:
進(jìn)氣分配部件,所述進(jìn)氣分配部件包括分配管和多個(gè)分配盤,所述分配管的下端穿過所述第二托盤的中心孔配合在所述第二轉(zhuǎn)軸的軸向通孔內(nèi),所述分配管的上端封閉且伸到所述第一托盤和所述第二托盤之間的空間內(nèi),所述多個(gè)分配盤分別設(shè)置于所述分配管的上端且沿所述分配管的豎直方向彼此間隔開,其中,在相鄰分配盤之間的所述分配管的壁上設(shè)有多個(gè)分配孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的腔室組件,其特征在于,所述排氣通道包括:
沿所述反應(yīng)腔室的周向間隔形成在所述反應(yīng)腔內(nèi)壁上的多個(gè)排氣孔;
形成在所述反應(yīng)腔內(nèi)壁和反應(yīng)腔外壁之間的排氣通路,所述排氣通路具有通向所述反應(yīng)腔室外面的排氣口,其中,每個(gè)排氣孔的內(nèi)端與所述反應(yīng)腔室連通且每個(gè)排氣孔的外端與所述排氣通路連通。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的腔室組件,其特征在于,所述多個(gè)排氣孔位于所述第一托盤與所述第二托盤之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的腔室組件,其特征在于,還包括:
進(jìn)氣環(huán),所述進(jìn)氣環(huán)內(nèi)設(shè)有進(jìn)氣流動(dòng)通道,所述進(jìn)氣流動(dòng)通道具有位于所述反應(yīng)腔室外面的進(jìn)氣環(huán)進(jìn)氣孔和位于所述反應(yīng)腔室的進(jìn)氣環(huán)出氣孔,其中,所述進(jìn)氣通道由所述進(jìn)氣環(huán)進(jìn)氣孔、所述進(jìn)氣環(huán)出氣孔和所述進(jìn)氣流動(dòng)通道構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的腔室組件,其特征在于,所述進(jìn)氣環(huán)與反應(yīng)腔內(nèi)壁平齊,且所述進(jìn)氣環(huán)位于所述第一托盤和所述第二托盤之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的腔室組件,其特征在于,所述進(jìn)氣環(huán)包括多組進(jìn)氣環(huán)出氣孔,所述多組進(jìn)氣環(huán)出氣孔沿所述進(jìn)氣環(huán)的周向間隔設(shè)置,且每一組內(nèi)的進(jìn)氣環(huán)出氣孔沿豎直方向間隔設(shè)置。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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