[發明專利]太陽能晶片的摻雜方法以及摻雜晶片

有效

• 申請號: 201010599446.2
• 申請日: 2010-12-17
• 公開（公告）號: CN102569495A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 陳炯;錢鋒;洪俊華
• 申請（專利權）人: 上海凱世通半導體有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/068
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 薛琦;朱水平

1.一種太陽能晶片的摻雜方法，其特征在于，其包括以下步驟：

步驟S₁、在N型基底表面形成N+型摻雜層；

步驟S₂、在該N+型摻雜層表面形成摻雜阻擋層；

步驟S₃、在該摻雜阻擋層表面形成具有圖樣的薄膜，其中，未被該具有圖樣的薄膜覆蓋的區域為開放區域；

步驟S₄、蝕刻去除該開放區域的摻雜阻擋層以及N+型摻雜層，并在該具有圖樣的薄膜下方靠近該開放區域的一端的該摻雜阻擋層和N+型摻雜層中形成側蝕，其中蝕刻深度至少為該摻雜阻擋層和該N+型摻雜層厚度的總和；

步驟S₅、加速P型離子并通過離子注入的方式將該P型離子從該N型基底的表面的該開放區域注入至N型基底中以形成P+型摻雜區域，其中，該P+型摻雜區域與該未經蝕刻的N+型摻雜層互不接觸；

步驟S₆、去除該具有圖樣的薄膜以及該摻雜阻擋層，

其中，所述的P型替換為N型時，N型同時替換為P型。

2.如權利要求1所述的太陽能晶片的摻雜方法，其特征在于，步驟S₁中通過熱擴散或者離子注入的方式形成該N+型摻雜層，其中該N+型摻雜層的方塊電阻為20-100Ω/□。

3.如權利要求1所述的太陽能晶片的摻雜方法，其特征在于，步驟S₂中通過CVD的方法形成該摻雜阻擋層，其中該摻雜阻擋層的厚度大于1μm，該摻雜阻擋層為二氧化硅、非晶硅、多晶硅或氮化硅薄膜。

4.如權利要求1所述的太陽能晶片的摻雜方法，其特征在于，步驟S₃中通過絲網印刷的方式形成該具有圖樣的薄膜，其中該具有圖樣的薄膜由合成橡膠或金屬制成。

5.如權利要求1所述的太陽能晶片的摻雜方法，其特征在于，步驟S₄中采用濕法化學法蝕刻去除該開放區域的摻雜阻擋層以及N+型摻雜層。

6.如權利要求1所述的太陽能晶片的摻雜方法，其特征在于，步驟S₄中所形成的側蝕的深度至少為2μm。

7.如權利要求1所述的太陽能晶片的摻雜方法，其特征在于，步驟S₅中該P型離子被加速至500eV-50keV，所形成的P+型摻雜區域的方塊電阻為40-120Ω/□。

8.如權利要求1-7中任意一項所述的太陽能晶片的摻雜方法，其特征在于，步驟S₅之后還包括退火步驟，退火溫度為700-1100℃，退火時間為30秒-30分鐘。

9.一種按照如權利要求1所述的太陽能晶片的摻雜方法制得的摻雜晶片，其特征在于，該摻雜晶片包括：

一N型基底；

形成于該N型基底表面的至少一個N+型摻雜區域；

形成于該N型基底中的P+型摻雜區域；

其中，該N+型摻雜區域與該P+型摻雜區域互不接觸，

其中，所述的P型替換為N型時，N型同時替換為P型。

10.如權利要求9所述的摻雜晶片，其特征在于，該N型基底具有凹槽，該P+型摻雜區域形成于該N型基底的凹槽中。

11.如權利要求9或10所述的摻雜晶片，其特征在于，該N+型摻雜區域與該P+型摻雜區域的最小距離至少為2μm。

12.如權利要求9或10所述的摻雜晶片，其特征在于，該N+型摻雜區域的方塊電阻為20-100Ω/□。

13.如權利要求9或10所述的摻雜晶片，其特征在于，該P+型摻雜區域的方塊電阻為40-120Ω/□。