[發明專利]一種In2Se3納米材料的制備方法無效
| 申請號： | 201010599420.8 | 申請日： | 2010-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN102534800A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 孫旭輝;李洋 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | C30B29/46 | 分類號： | C30B29/46;C30B23/00;C23C14/06;C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 215123 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 in sub se 納米 材料 制備 方法 | ||
1.一種In2Se3納米材料的制備方法，其特征在于，包括：
將氣相In2Se3用載氣輸送到含有催化劑的基體上，并在所述基體上沉積生長得到In2Se3納米材料；所述催化劑為金顆粒、金膜或銦膜。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述載氣為氫氣、氬氣、氮氣或氦氣中一種或幾種。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述基體包括Si、Al2O3、SiC、Si3N4、陶瓷片或覆蓋有SiOx(1≤x≤2)的Si。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金顆粒的粒徑為0.5nm～100nm。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述銦膜厚度為30nm～100nm。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述沉積生長的壓強為1Torr～760Torr。
7.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述沉積生長的壓強為30Torr～760Torr。
8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述沉積生長的溫度為500℃～800℃。
9.一種In2Se3納米棒，其特征在于，由權利要求1至8中任一項所述的制備方法進行制備，沉積生長時間小于1h。
10.一種In2Se3納米線，其特征在于，由權利要求1～8中任一項所述的制備方法進行制備，沉積生長時間為1h～4h。
11.一種純α相In2Se3納米線，其特征在于，由權利要求1～8中任一項所述的制備方法進行制備，所述載氣為氫氣。
12.一種κ相In2Se3納米線，其特征在于，由權利要求1至9中任一種所述的制備方法進行制備，所述載氣為氬氣、氮氣或氦氣中的一種或幾種。
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