[發(fā)明專利]一種抗單粒子效應(yīng)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010599030.0 | 申請(qǐng)日： | 2010-12-21 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102097123A | 公開（公告）日： | 2011-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李振濤;喬寧 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號(hào)： | G11C11/413 | 分類號(hào)： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 粒子 效應(yīng) 靜態(tài) 隨機(jī) 存儲(chǔ)器 單元 | ||
1.一種抗單粒子效應(yīng)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元，其特征在于，包括第一反相器(INV1)、第二反相器(INV2)、第一NMOS傳輸門(613)、第二NMOS傳輸門(614)，其中：
第一反相器(INV1)的輸出端(A)接第一NMOS傳輸門(613)，第二反相器(INV2)的輸出端(B)接第二NMOS傳輸門(614)，第一NMOS傳輸門(613)的柵與第二NMOS傳輸門(614)的柵接WL，第一NMOS傳輸門(613)對(duì)應(yīng)單元輸出BL，第二NMOS傳輸門(614)對(duì)應(yīng)單元輸出DBL，第一反相器(INV1)的輸出端(A)接第二反相器(INV2)的輸入端，第二反相器(INV2)輸出端(B)接第一反相器(INV1)的輸入端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗單粒子效應(yīng)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元，其特征在于，所述第一反相器(INV1)包括第一PMOS管(601)、第二PMOS管(602)、第二NMOS管(603)、第一NMOS管(604)、第一傳輸門PMOS(605)和第二傳輸門NMOS(606)，其中：
第一PMOS管(601)的源極接電源VDD，漏極接第二PMOS管(602)的源極；第二PMOS管(602)的漏極接A；第一NMOS管(604)的源極接地，漏極接第二NMOS管(603)的源極；第二NMOS管(603)的漏極接A；第二傳輸門NMOS(606)與第一傳輸門PMOS(605)的兩端分別接第一PMOS(601)的漏極和第一NMOS(604)的漏極；第一PMOS管(601)、第二PMOS管(602)、第二NMOS管(603)、第一NMOS管(604)、第一傳輸門PMOS(605)和第二傳輸門NMOS(606)的柵都接第一反相器的輸入。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗單粒子效應(yīng)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元，其特征在于，所述第二反相器包括第三PMOS管(607)、第四PMOS管(608)、第三NMOS管(610)、第四NMOS管(609)、第三傳輸門NMOS(612)和第四傳輸門PMOS(611)，其中：
第三PMOS管(607)的源極接電源VDD，漏極接第四PMOS管(608)的源極；第四PMOS管(608)的漏極接A；第三NMOS管(610)的源極接地，漏極接第四NMOS管(609)的源極；第四NMOS管(609)的漏極接A；第三傳輸門NMOS(612)與第四傳輸門PMOS(611)的兩端分別接第一PMOS(607)的漏極和第一NMOS(610)的漏極；第三PMOS管(607)、第四PMOS管(608)、第三NMOS管(610)、第四NMOS管(609)、第三傳輸門NMOS(612)和第四傳輸門PMOS(611)的柵都接第二反相器的輸入。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗單粒子效應(yīng)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元，其特征在于，所述第一PMOS管(601)、第二PMOS管(602)、第三PMOS管(607)和第四PMOS管(608)的尺寸相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗單粒子效應(yīng)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元，其特征在于，所述第二NMOS管(603)、第一NMOS管(604)、第三NMOS管(610)和第四NMOS管(609)的尺寸相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗單粒子效應(yīng)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元，其特征在于，所述第二傳輸門NMOS(606)、第三傳輸門NMOS(612)、第一傳輸門PMOS(605)和第四傳輸門PMOS(611)均使用工藝中的最小尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗單粒子效應(yīng)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元，其特征在于，該系統(tǒng)使用PD?SOI工藝時(shí)，進(jìn)一步采用體引出處理，將體與源極連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，未經(jīng)中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010599030.0/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 復(fù)雜背景中實(shí)現(xiàn)靜態(tài)目標(biāo)檢測和識(shí)別的方法
- 一種設(shè)置靜態(tài)認(rèn)證信息的方法及裝置
- 一種基于物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的機(jī)房靜態(tài)資源快速定位的方法
- 一種動(dòng)態(tài)網(wǎng)頁靜態(tài)化的方法和裝置
- 瀏覽器靜態(tài)資源加載方法、瀏覽器程序及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
- 靜態(tài)資源更新方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和計(jì)算機(jī)設(shè)備
- 一種圖像顯示方法及裝置
- 一種靜態(tài)方法修改非靜態(tài)對(duì)象的方法
- 一種靜態(tài)資源加載方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種靜態(tài)資源獲取方法、裝置及其相關(guān)設(shè)備
- 隨機(jī)數(shù)生成設(shè)備及控制方法、存儲(chǔ)器存取控制設(shè)備及通信設(shè)備
- 隨機(jī)接入方法、用戶設(shè)備、基站及系統(tǒng)
- 真隨機(jī)數(shù)檢測裝置及方法
- 隨機(jī)元素生成方法及隨機(jī)元素生成裝置
- 數(shù)據(jù)交互方法、裝置、服務(wù)器和電子設(shè)備
- 一種隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的多隨機(jī)源管理方法
- 用于彩票行業(yè)的隨機(jī)數(shù)獲取方法及系統(tǒng)
- 隨機(jī)接入方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 偽隨機(jī)方法、系統(tǒng)、移動(dòng)終端及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 模型訓(xùn)練方法、裝置和計(jì)算設(shè)備
