[發(fā)明專利]可變電阻存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010598271.3 | 申請日： | 2010-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN102104055A | 公開（公告）日： | 2011-06-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 樸正熙;堀井秀樹;樸惠英;吳真浩;權(quán)賢俶 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/24 | 分類號： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 張波 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 可變 電阻 存儲器 | ||
1.一種可變電阻存儲器，包括：
基板；
在所述基板上的多個底電極；
第一層間絕緣層，包括形成在其中的溝槽，所述溝槽暴露所述底電極并沿第一方向延伸；
頂電極，設置在所述第一層間絕緣層上并沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及
多個可變電阻圖案，設置在所述溝槽中并具有與所述頂電極的側(cè)壁對準的側(cè)壁。
2.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲器，其中所述可變電阻圖案的對準側(cè)壁平行于所述第二方向。
3.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲器，其中溝槽暴露沿所述第二方向彼此相鄰的兩個底電極。
4.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲器，其中所述可變電阻圖案是其中所述可變電阻圖案沿所述第一方向被分離開的隔離型結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲器，還包括在所述可變電阻圖案與所述頂電極之間的擴散防止圖案。
6.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲器，其中所述可變電阻圖案具有U形、L形或四邊形的第二方向縱截面。
7.如權(quán)利要求6所述的可變電阻存儲器，還包括在所述可變電阻圖案上的U形或L形的熱損失防止圖案。
8.一種可變電阻存儲器，包括：
基板；
在所述基板上的多個底電極；
多個可變電阻線，設置在所述底電極上并沿第一方向延伸，其中所述可變電阻線設置在溝槽內(nèi)部，該溝槽暴露所述底電極并沿所述第一方向延伸；
頂電極，設置在所述可變電阻線上并沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及
擴散防止圖案，在所述可變電阻圖案與所述頂電極之間。
9.如權(quán)利要求8所述的可變電阻存儲器，其中所述底電極具有線形或弧形的頂表面，該線形或弧形在所述第二方向上的長度長于在所述第一方向上的長度。
10.如權(quán)利要求8所述的可變電阻存儲器，還包括在所述可變電阻線與所述頂電極之間的擴散防止圖案。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
