[發(fā)明專利]半導(dǎo)體管芯與導(dǎo)電柱的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010597704.3
• 申請日: 2010-12-15
• 公開（公告）號: CN102315188A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂文雄;鄭明達(dá);林志偉;何明哲;劉重希
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張?jiān)≡?劉文意

1.一種半導(dǎo)體管芯，包括：

一基板；

一接合墊位于該基板上；

一導(dǎo)電柱位于該接合墊上，該導(dǎo)電柱具有一上表面、一邊緣側(cè)壁、與一高度；

一蓋層位于該導(dǎo)電柱的上表面上，并沿著該導(dǎo)電柱的該邊緣側(cè)壁延伸一長度；以及

一焊料位于該蓋層的上表面上。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體管芯，其中該長度與該高度的比例介于約0.0022至約0.088之間。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體管芯，其中該蓋層的厚度介于約至約之間。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體管芯，還包括一封裝基板接合至該焊料。

5.一種半導(dǎo)體管芯，包括：

一基板；

一接合墊位于該基板上；

一保護(hù)層位于該焊料墊與該基板上，該開口具有一第一開口；

一緩沖層位于該保護(hù)層上，該緩沖層具有一第二開口，其中該第一開口與該第二開口形成一組合開口，且該組合開口具有側(cè)壁并露出部分該接合墊；

一凸塊下冶金層襯墊該組合開口的側(cè)壁，位于該緩沖層頂部上，并接觸露出的部分該接合墊；

一導(dǎo)電柱位于該凸塊下冶金層上，該導(dǎo)電柱具有一上表面、一邊緣側(cè)壁、與一高度；

一蓋層位于該導(dǎo)電柱的上表面上，并沿著該導(dǎo)電柱的該邊緣側(cè)壁延伸一長度；以及

一焊料位于該蓋層的上表面上。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體管芯，其中該長度與該高度的比例介于約0.0022至約0.088之間。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體管芯，其中該蓋層的厚度介于約至約之間。

8.一種導(dǎo)電柱的形成方法，包括：

形成一接合墊于一基板上；

形成一凸塊下冶金層于該接合墊上；

形成一圖案化光致抗蝕劑層于該凸塊下冶金層上，該圖案化光致抗蝕劑層具有一孔洞露出部分該凸塊下冶金層；

將一導(dǎo)電材料填入部分該孔洞以形成一導(dǎo)電柱于該凸塊下冶金層上，其中該導(dǎo)電柱具有一上表面、一邊緣側(cè)壁、與一高度；

將一蓋層填入該導(dǎo)電柱的上表面上的部分該孔洞中，其中該蓋層沿著該導(dǎo)電柱的該邊緣側(cè)壁延伸一長度；

將一焊料填入該蓋層的上表面上的部分該孔洞中；以及

移除該圖案化光致抗蝕劑層。

9.如權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電柱的形成方法，還包括在移除該圖案化光致抗蝕劑層后，以導(dǎo)電柱為掩模并蝕刻該凸塊下冶金層。

10.如權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電柱的形成方法，其中該長度與高度的比例介于約0.0022至約0.088之間。