[發(fā)明專利]納米貴金屬顆粒改性二氧化錫氣敏材料的制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010597082.4 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102041474A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳敬超;周曉龍;于杰;杜焰;馮晶;阮進(jìn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昆明理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C14/06 | 分類號(hào): | C23C14/06 |
| 代理公司: | 昆明今威專利代理有限公司 53115 | 代理人: | 賽曉剛 |
| 地址: | 650093 云南省昆明*** | 國(guó)省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 貴金屬 顆粒 改性 氧化 錫氣敏 材料 制備 方法 | ||
1.一種納米貴金屬顆粒改性二氧化錫氣敏材料的制備方法,其特征在于:以貴金屬粉、錫粉或貴金屬與錫的合金粉末為原料,添加少量的其它元素為性能調(diào)整元素,原料經(jīng)配料后在混料機(jī)中混合均勻;經(jīng)過(guò)低溫高能球磨機(jī)械合金化;將制備的復(fù)合粉體制成素坯,放入反應(yīng)合成燒結(jié)爐內(nèi)進(jìn)行反應(yīng)合成;隨后濺射或沉積,制得的膜厚度為2-50微米。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米貴金屬顆粒改性二氧化錫氣敏材料的制備方法,其特征在于所述的貴金屬粉為Ag,Au,Pt,Ru,Rh,Pd,Ir,Re中的兩種或兩種以上的混合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米貴金屬顆粒改性二氧化錫氣敏材料的制備方法,其特征在于所述的其它元素為V,Mn,Co,Ni,Zn,Nb,Mo,Al,Ce,La,In,Sb中的一種或幾種,粉末粒度小于100微米,貴金屬與錫的質(zhì)量分?jǐn)?shù)比控制在2-10%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米貴金屬顆粒改性二氧化錫氣敏材料的制備方法,其特征在于所述的低溫高能球磨機(jī)械合金化,磨球和磨罐采用剛玉或瑪瑙材料制備,球磨氣氛采用氬氣保護(hù),轉(zhuǎn)速800-1500rad/min,球磨時(shí)間8-100小時(shí),根據(jù)貴金屬的含量調(diào)整球磨溫度,溫度范圍:100-270K。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米貴金屬顆粒改性二氧化錫氣敏材料的制備方法,其特征在于所述的進(jìn)行反應(yīng)合成的反應(yīng)合成燒結(jié)溫度1000-1750℃,時(shí)間2-8小時(shí)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米貴金屬顆粒改性二氧化錫氣敏材料的制備方法,其特征在于所述的濺射或沉積是指:采用玻璃襯底,抽真空,真空度約為10-5-10-2Pa,濺射或沉積速率為10-2g/s,時(shí)間約為30-200分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米貴金屬顆粒改性二氧化錫氣敏材料的制備方法,其特征在于所述的在混料機(jī)中的混料時(shí)間為1-3小時(shí)。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





