[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法和液晶顯示器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010596811.4
• 申請(qǐng)日: 2010-12-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102566165A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秦緯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器。

背景技術(shù)

液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。

陣列基板是液晶顯示器的重要部件。如圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板的典型結(jié)構(gòu)包括：襯底基板1；襯底基板1上形成有橫縱交叉的數(shù)據(jù)線5和柵線2；數(shù)據(jù)線5和柵線2圍設(shè)形成矩陣形式排列的像素單元。多個(gè)像素單元組成液晶顯示器的像素區(qū)域30。在像素區(qū)域30的外圍為接口區(qū)域40，數(shù)據(jù)線5、柵線2延伸至接口區(qū)域40，以便與驅(qū)動(dòng)線路相連。公共電極線12的一部分可以在形成柵線2的第一金屬層上形成，另一部分可以在形成數(shù)據(jù)線5的第二金屬層上形成。對(duì)于需要全部連接在一起的公共電極線12而言，這種形成方式必然會(huì)存在第一金屬層和第二金屬層連接的位置。

第一金屬層和第二金屬層可以通過(guò)過(guò)孔、以及在過(guò)孔上敷設(shè)透明導(dǎo)電層來(lái)實(shí)現(xiàn)彼此的連接。如圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)中第一金屬層和第二金屬層的連接位置俯視圖，圖中的21為第一金屬層，22為第二金屬層，23為透明導(dǎo)電層，241為第一金屬層過(guò)孔，242為第二金屬層過(guò)孔。圖3為圖2中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為現(xiàn)有技術(shù)中第一金屬層和第二金屬層的第二種連接位置俯視圖，圖中的21為第一金屬層，22為第二金屬層，23為透明導(dǎo)電層，241為第一金屬層過(guò)孔，242為第二金屬層過(guò)孔。圖5為圖4中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。圖2至圖5中所示的連接結(jié)構(gòu)可以等效為圖6所示的電路。之所以可以等效為圖6所示的電路，主要原因在于：第一金屬層21為柵金屬和部分公共電極金屬，其電阻約為0.35，而第二金屬層22為數(shù)據(jù)金屬和部分公共電極金屬，其電阻約為0.55，透明導(dǎo)電層23的電阻約為150，遠(yuǎn)大于第一金屬層21和第二金屬層22的電阻，所以相對(duì)于透明導(dǎo)電層23的電阻而言，第一金屬層21和第二金屬層22的電阻可以忽略不計(jì)。由此，參見(jiàn)圖6，21表示第一金屬層，22表示第二金屬層，R1至R6表示過(guò)孔上方透明導(dǎo)電層23的電阻，R7至R9表示透明導(dǎo)電層23與第二金屬層22之間的接觸電阻，R10至R12表示透明導(dǎo)電層23與第一金屬層21之間的接觸電阻。具體的，以圖5為例對(duì)上述各參數(shù)進(jìn)行說(shuō)明。由于圖5僅為圖4中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖，即僅表現(xiàn)了圖4中的部分結(jié)構(gòu)，而圖6中的等效電路是圖4中所表現(xiàn)的全部?jī)?nèi)容的等效電路圖，所以在圖5中未示出的部分可參考圖5所示的內(nèi)容進(jìn)行說(shuō)明。其中，R6(或R5)具體為第一金屬層21上相鄰的兩個(gè)過(guò)孔241之間的透明導(dǎo)電層23的電阻，R4和R3具體為第一金屬層過(guò)孔241與第二金屬層過(guò)孔242之間的透明導(dǎo)電層23的電阻，R2(或R1)具體為第二金屬層22上相鄰的兩個(gè)過(guò)孔242之間的透明導(dǎo)電層23的電阻。R12(或R11、R10)具體為第一金屬層21與透明導(dǎo)電層23之間的接觸電阻，R9(或R8、R7)具體為第二金屬層22與透明導(dǎo)電層23之間的接觸電阻。從圖6中可以看出，流過(guò)R1至R6的電流大小是不一樣的，經(jīng)過(guò)電阻R3和R4的電流最大，所以在R3與R4位置上(同時(shí)參見(jiàn)圖2和圖4中的閃電狀圖案位置)很容易發(fā)生透明導(dǎo)電層23過(guò)熱熔斷的情況，這種過(guò)熱熔斷會(huì)對(duì)液晶顯示面板的質(zhì)量造成重大的影響。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，以實(shí)現(xiàn)第一金屬層的導(dǎo)電圖案和第二金屬層的導(dǎo)電圖案在通過(guò)過(guò)孔彼此連接時(shí)，流過(guò)各個(gè)過(guò)孔的電流一致，有效避免了測(cè)試電流以及信號(hào)電流過(guò)大導(dǎo)致的熔斷問(wèn)題。

本發(fā)明提供一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上依次形成有：第一金屬層、柵絕緣層、有源層、第二金屬層、鈍化層和透明導(dǎo)電層；其中：

所述第一金屬層的導(dǎo)電圖案與所述第二金屬層的導(dǎo)電圖案具有重疊區(qū)域；

處于重疊區(qū)域的第二金屬層設(shè)有開(kāi)孔；

處于重疊區(qū)域的柵絕緣層和鈍化層設(shè)有過(guò)孔，所述過(guò)孔分別位于開(kāi)孔內(nèi)和開(kāi)孔的兩側(cè)；位于所述開(kāi)孔內(nèi)的過(guò)孔貫穿所述鈍化層和所述柵絕緣層，位于所述開(kāi)孔兩側(cè)的過(guò)孔貫穿所述鈍化層。