[發(fā)明專利]中空石墨電極的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010596809.7 | 申請日： | 2010-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN102249680A | 公開（公告）日： | 2011-11-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 龔炳生 | 申請（專利權(quán)）人： | 龔炳生 |
| 主分類號： | C04B35/52 | 分類號： | C04B35/52;C04B35/622 |
| 代理公司： | 廈門南強之路專利事務(wù)所 35200 | 代理人： | 馬應(yīng)森 |
| 地址： | 364211 福建省*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 中空 石墨電極 制備 方法 | ||
1.中空石墨電極的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
1)將混捏好的糊料，經(jīng)過涼料機冷卻；
2)冷卻后的糊料經(jīng)皮帶機加到成型機的模具里，模具密封，抽真空；
3)將上壓頭和下壓頭同時對糊料施壓，啟動振動平臺振壓；
4)模具冷卻后脫模，將制品冷卻，得石墨電極生坯，再經(jīng)過焙燒工序、石墨化工序、機加工工序處理后，即得石墨電極。
2.如權(quán)利要求1所述的中空石墨電極的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述冷卻的溫度為100～120℃。
3.如權(quán)利要求1所述的中空石墨電極的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述抽真空的真空度大于-0.096MPa。
4.如權(quán)利要求1所述的中空石墨電極的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述抽真空的時間為40～50min。
5.如權(quán)利要求1所述的中空石墨電極的制備方法，其特征在于在步驟3)中，所述施壓的壓力為200噸，比壓大于2MPa。
6.如權(quán)利要求1所述的中空石墨電極的制備方法，其特征在于在步驟3)中，所述振壓的時間為7～9min。
7.如權(quán)利要求1所述的中空石墨電極的制備方法，其特征在于在步驟3)中，在步驟4)中，所述模具冷卻的溫度為65～75℃。
8.如權(quán)利要求1所述的中空石墨電極的制備方法，其特征在于在步驟3)中，所述冷卻，是采用淋水冷卻。
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