[發(fā)明專利]高壓鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010596089.4
• 申請(qǐng)日: 2010-12-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102543726A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳帆;陳雄斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/331
• 分類號(hào): H01L21/331;H01L21/265;H01L29/737;H01L29/08
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 王函

1.一種高壓鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法，包括形成集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)；其特征在于，其集電區(qū)的形成方法為：在三極管有源區(qū)打開(kāi)后漸變深度的多次注入集電區(qū)N型雜質(zhì)，然后通過(guò)快速熱退火使多次注入的N型雜質(zhì)連成一片，形成均勻的N型集電區(qū)雜質(zhì)分布。

2.如權(quán)利要求1所述的高壓鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在P型硅襯底上形成場(chǎng)氧區(qū)溝槽和有源區(qū)；

步驟二、在所述有源區(qū)兩側(cè)的場(chǎng)氧區(qū)底部進(jìn)行N型離子注入形成贗埋層；

步驟三、在所述場(chǎng)氧區(qū)溝槽中填入氧化硅形成場(chǎng)氧區(qū)；

步驟四、在所述有源區(qū)中進(jìn)行漸變深度的多次N型離子注入形成集電區(qū)；然后再進(jìn)行快速熱退火工藝，使多次注入的N型雜質(zhì)連成一片，形成均勻的N型集電區(qū)雜質(zhì)分布；

步驟五、形成基區(qū)；

步驟六、形成發(fā)射區(qū)；

步驟七、在所述贗埋層頂部的場(chǎng)氧區(qū)中形成深孔接觸引出所述集電區(qū)電極。

3.如權(quán)利要求2所述的高壓鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法，其特征在于，步驟二具體為：首先，用光刻膠定義贗埋層區(qū)域，通過(guò)光刻膠形成的贗埋層保護(hù)窗口在有源區(qū)兩側(cè)的場(chǎng)氧區(qū)底部進(jìn)行N型離子注入，通過(guò)注入離子的橫向擴(kuò)散，交匯于有源區(qū)，形成贗埋層；所述贗埋層的N型離子注入工藝條件為：當(dāng)注入雜質(zhì)為磷時(shí)，注入劑量為3e14/cm2～5e15/cm2，注入能量為3KeV～20keV；當(dāng)注入雜質(zhì)為砷時(shí)，注入劑量為3e14/cm2～5e15/cm2，注入能量為5KeV～40keV。

4.如權(quán)利要求2所述的高壓鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法，其特征在于，步驟四中，所述漸變深度的多次N型離子注入的注入次數(shù)為3～5次，每次注入能量呈遞減趨勢(shì)；當(dāng)注入雜質(zhì)為磷時(shí)，每次注入能量為50～500kev，每次注入劑量為5e11～1e12/cm24；當(dāng)注入雜質(zhì)為砷時(shí)，每次注入能量為100～800kev，每次注入劑量為5e11～1e12/cm24。

5.如權(quán)利要求2所述的高壓鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法，其特征在于，步驟四中，所述快速熱退火工藝的工藝條件為：溫度為990～1060℃；時(shí)間為5秒到30秒。

6.如權(quán)利要求2所述的高壓鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法，其特征在于：步驟七中，所述深孔接觸通過(guò)在所述贗埋層頂部的場(chǎng)氧區(qū)中開(kāi)一深孔并在所述深孔中淀積鈦/氮化鈦?zhàn)钃踅饘賹雍蟆⒃偬钊腈u形成。