[發(fā)明專利]一種燃燒法合成疏水性納米二氧化硅顆粒的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010595909.8 | 申請日： | 2010-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN102530962A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 岳仁亮;孟東;劉海弟;賈毅;陳運法 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院過程工程研究所 |
| 主分類號： | C01B33/12 | 分類號： | C01B33/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京法思騰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11318 | 代理人： | 高宇;楊小蓉 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 燃燒 合成 疏水 納米 二氧化硅 顆粒 方法 | ||
1.一種燃燒法合成疏水性二氧化硅納米顆粒的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
1)加熱有機硅前軀體至有機硅前軀體以氣體進入燃燒器，保持恒溫；
2)向燃燒器中通入燃氣、助燃氣、載氣、支路氣體，并點燃，其中，燃氣、助燃氣、載氣、支路氣體的流量比為1∶0.4～10∶0.2～5∶0.24～30。3)收集疏水性二氧化硅納米顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燃燒法合成疏水性二氧化硅納米顆粒的方法，其特征在于，所述的步驟2)中燃氣、助燃氣、載氣、支路氣體的流量比為1∶0.4～10∶0.2～5∶17.5～30。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燃燒法合成疏水性二氧化硅納米顆粒的方法，其特征在于，所述的有機硅前驅(qū)體為二氯二甲基硅烷、二氯二乙基硅烷、二氯二丙基硅烷、二氯二苯基硅烷、一氯三甲基硅烷、一氯三乙基硅烷、一氯三丙基硅烷、一氯三苯基硅烷、二羥基二甲基硅烷、二羥基二乙基硅烷、二羥基二苯基硅烷、四甲基硅烷、二甲基二苯基硅烷、四乙基硅烷、六甲基環(huán)三硅氧烷、六甲基二硅氧烷、六甲基二硅胺烷和六甲基二硅氯烷中的一種或幾種的混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燃燒法合成疏水性二氧化硅納米顆粒的方法，其特征在于，所述的載氣和支路氣體為氦氣、氖氣、氬氣和氮氣中的一種或幾種的混合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燃燒法合成疏水性二氧化硅納米顆粒的方法，其特征在于，所述的燃氣為甲烷、氫氣、乙烷中的一種或幾種的混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燃燒法合成疏水性二氧化硅納米顆粒的方法，其特征在于，所述的助燃氣為空氣或氧氣和氮氣的混合物，其中氧氣的濃度為10％～100％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燃燒法合成疏水性二氧化硅納米顆粒的方法，其特征在于，所述的燃燒器為擴散火焰燃燒反應(yīng)器、預(yù)混火焰燃燒器以及對吹火焰燃燒器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燃燒法合成疏水性二氧化硅納米顆粒的方法，其特征在于，所述的支路氣體的氣體流量為載氣流量的0.1～200倍。
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