[發明專利]半導體器件、半導體器件制造方法及電子裝置

有效

• 申請號: 201010593726.2
• 申請日: 2010-12-17
• 公開（公告）號: CN102110700A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 糸長總一郎;堀池真知子
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/335;H04N5/374
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種半導體器件，其包括：

第一半導體部，所述第一半導體部包括位于所述第一半導體部一側的第一布線層；

第二半導體部，所述第二半導體部包括位于所述第二半導體部一側的第二布線層，所述第一半導體部和所述第二半導體部被固定在一起，且所述第一半導體部的第一布線層側與所述第二半導體部的第二布線層側彼此面對；以及

導電材料件，所述導電材料件穿過所述第一半導體部而延伸至所述第二半導體部的所述第二布線層，且借助于所述導電材料件使得所述第一布線層與所述第二布線層電連通。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一半導體部和所述第二半導體部是通過等離子體結合方式而被固定在一起。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一半導體部和所述第二半導體部是通過粘合劑而被固定在一起。

4.如權利要求1至3中任一項所述的半導體器件，其中，所述半導體器件包括位于像素陣列區域與移除區域之間的控制區域。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其中，所述導電材料件被形成在所述半導體器件的所述移除區域中。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其中，所述第一半導體部的位于所述移除區域中的一部分被移除。

7.如權利要求5所述的半導體器件，還包括遮光膜，所述遮光膜形成在所述半導體器件的所述控制區域中的所述第一半導體部上方。

8.一種半導體器件制造方法，其包括如下步驟：

形成第一半導體部，所述第一半導體部包括位于所述第一半導體部一側的第一布線層；

形成第二半導體部，所述第二半導體部包括位于所述第二半導體部一側的第二布線層；

以所述第一半導體部的第一布線層側與所述第二半導體部的第二布線層側彼此面對的方式，將所述第一半導體部和所述第二半導體部相結合；并且

設置導電材料件，所述導電材料件穿過所述第一半導體部而延伸至所述第二半導體部的所述第二布線層，使得所述第一布線層與所述第二布線層電連通。

9.如權利要求8所述的半導體器件制造方法，其中，通過等離子體結合方式將所述第一半導體部和所述第二半導體部固定在一起。

10.如權利要求8所述的半導體器件制造方法，其中，通過粘合劑

將所述第一半導體部和所述第二半導體部固定在一起。

11.如權利要求8至10中任一項所述的半導體器件制造方法，其中，所述半導體器件包括位于像素陣列區域與移除區域之間的控制區域。

12.如權利要求11所述的半導體器件制造方法，其中，所述導電材料件是形成在所述半導體器件的所述移除區域中。

13.如權利要求12所述的半導體器件制造方法，其中，將所述第一半導體部的位于所述移除區域中的一部分移除。

14.如權利要求12所述的半導體器件制造方法，還包括在所述半導體器件的所述控制區域中的所述第一半導體部上方形成遮光膜的步驟。

15.一種半導體器件，其包括：

第一半導體部，所述第一半導體部包括位于所述第一半導體部一側的第一布線層和位于與所述第一布線層側相反的側的器件層；

第二半導體部，所述第二半導體部包括位于所述第二半導體部一側的第二布線層，所述第一半導體部和所述第二半導體部被固定在一起，且所述第一半導體部的第一布線層側與所述第二半導體部的第二布線層側彼此面對；

第一導電材料件，所述第一導電材料件穿過所述第一半導體部的所述器件層而延伸至所述第一半導體部的所述第一布線層中的連接點；以及

第二導電材料件，所述第二導電材料件穿過所述第一半導體部而延伸至所述第二半導體部的所述第二布線層中的連接點，使得所述第一布線層與所述第二布線層電連通。

16.如權利要求15所述的半導體器件，其中，所述第一半導體部和所述第二半導體部是通過等離子體結合方式而被固定在一起。

17.如權利要求15所述的半導體器件，其中，所述第一半導體部和所述第二半導體部是通過粘合劑而被固定在一起。