[發(fā)明專利]氮化鎵晶體管的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010593719.2
• 申請日: 2010-12-15
• 公開（公告）號: CN102569071A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張翼;張嘉華;林岳欽
• 申請（專利權(quán)）人: 財團法人交大思源基金會
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種氮化鎵晶體管的制作方法，其特征在于：包含

一準(zhǔn)備步驟，準(zhǔn)備一發(fā)光元件，該發(fā)光元件具有一基板，及一形成在該基板上的半導(dǎo)體多晶層，且該半導(dǎo)體多晶層含有N型氮化鎵半導(dǎo)體材料；

一開口形成步驟，先于該半導(dǎo)體多晶層表面形成一由絕緣材料構(gòu)成的第一遮覆層，及一形成于該第一遮覆層表面的第二遮覆層，且該第二遮覆層定義出一使該第一遮覆層部分表面裸露的開口；

一離子布值步驟，以離子布值方式自該開口向下對該半導(dǎo)體多晶層進行P型離子布值，于該半導(dǎo)體多晶層形成一摻雜區(qū)，之后將該第一、二遮覆層移除，使該半導(dǎo)體多晶層露出；

一介電層形成步驟，于該半導(dǎo)體多晶層上沉積一層由高介電常數(shù)材料構(gòu)成的介電層；

一源/漏極沉積步驟，以微影蝕刻方式將該介電層對應(yīng)該摻雜區(qū)兩側(cè)的結(jié)構(gòu)移除至該半導(dǎo)體多晶層裸露出，接著于該裸露出的半導(dǎo)體多晶層沉積金屬，于該摻雜區(qū)兩側(cè)形成一源極及一漏極；及

一柵極沉積步驟，于該介電層的預(yù)定表面沉積金屬形成一柵極，即可完成該氮化鎵晶體管的制作。

2.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵晶體管的制作方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體多晶層具有由該基板依序向上形成的一第一氮化鎵多晶膜、一氮化鋁鎵多晶膜，及一第二氮化鎵多晶膜。

3.如權(quán)利要求2所述的氮化鎵晶體管的制作方法，其特征在于：所述離子布值步驟形成的摻雜區(qū)的深度不大于該第二氮化鎵多晶膜厚度的二分之一。

4.如權(quán)利要求3所述的氮化鎵晶體管的制作方法，其特征在于：還包含一實施在所述離子布值步驟之前的等離子體處理步驟，是先以等離子體處理方式使氟離子經(jīng)由該開口進入該氮化鋁鎵多晶膜中。

5.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵晶體管的制作方法，其特征在于：所述第一遮覆層選自二氧化硅、氮化硅，且厚度介于50-150nm之間。

6.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵晶體管的制作方法，其特征在于：所述介電層是選自Al2O3、HfO2、La2O3、CeO2，HfAlO，TiO2，ZrO2為材料。