[發明專利]制造垂直溝道晶體管的方法

有效

• 申請號: 201010593037.1
• 申請日: 2010-12-16
• 公開（公告）號: CN102104005A
• 公開（公告）日: 2011-06-22
• 發明（設計）人: 金岡昱;吳容哲;金熙中;鄭鉉雨;金鉉琦
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種制造垂直溝道晶體管的方法，包括：

在襯底上形成具有線型的有源圖案，從而在第一水平方向上延伸；

形成垂直溝道，該垂直溝道在與所述第一水平方向交叉的第二水平方向上隔離所述有源圖案并且在所述襯底上垂直地延伸；

在所述襯底上形成在所述第一水平方向上延伸的掩埋位線；以及

沿所述垂直溝道的至少一個側表面形成在所述第二水平方向上延伸的字線。

2.如權利要求1所述的方法，其中形成所述有源圖案包括：

在所述襯底上形成在所述第一水平方向上延伸的第一溝槽；以及

用第一絕緣層填充所述第一溝槽以形成在所述第一水平方向上延伸的有源條。

3.如權利要求2所述的方法，其中形成所述掩埋位線包括：在形成所述垂直溝道之前，

通過在所述第一水平方向上切割所述第一絕緣層，形成與所述有源條的至少一個側表面偏移的掩埋位線圖案；

在所述掩埋位線圖案的內側壁上形成襯層；

通過去除所述有源條的不被所述襯層保護的一部分，在所述掩埋位線中形成鑲嵌掩埋位線圖案；以及

形成金屬化合物掩埋位線，所述金屬化合物掩埋位線在鑲嵌掩埋位線圖案中在所述第一水平方向上延伸并電連接到所述有源條的至少一個側表面。

4.如權利要求3所述的方法，其中形成所述字線包括：

通過在所述第二水平方向上切割所述第一絕緣層來形成與所述有源條的至少一個側表面偏移的字線圖案，以及通過在所述第二水平方向上隔離所述有源條來定義所述垂直溝道；

在所述字線圖案中形成與所述垂直溝道的至少一個側表面接觸的柵極絕緣層；以及

在所述字線圖案中形成面對所述垂直溝道的至少一個側表面的所述字線，所述柵極絕緣層插設在所述字線與所述側表面之間。

5.如權利要求3所述的方法，其中形成所述垂直溝道包括：在形成所述掩埋位線之后，

在所述襯底上形成在所述第二水平方向上延伸的第二溝槽；以及

用第二絕緣層填充所述第二溝槽并在所述第二水平方向上隔離所述有源條以形成通過所述第一絕緣層和所述第二絕緣層隔離的所述垂直溝道。

6.如權利要求5所述的方法，其中形成所述字線包括：在形成所述垂直溝道之后，

通過在所述第二水平方向上切割所述第一絕緣層和所述第二絕緣層，形成與所述垂直溝道的至少一個側表面偏移的字線圖案；

在所述字線圖案中形成與所述垂直溝道的至少一個側表面接觸的柵極絕緣層；以及

在所述字線圖案中形成面對所述垂直溝道的至少一個側表面的所述字線，所述柵極絕緣層插設在所述字線與所述側表面之間。

7.如權利要求2所述的方法，其中形成所述垂直溝道包括：在形成所述掩埋位線之前，

在所述襯底上形成在所述第二水平方向上延伸的第二溝槽；以及

用第二絕緣層填充所述第二溝槽并在所述第二水平方向上隔離所述有源條以形成所述垂直溝道。

8.如權利要求7所述的方法，其中形成所述掩埋位線包括：在形成所述垂直溝道之后，

通過在所述第一水平方向上切割所述第一絕緣層和所述第二絕緣層，形成與所述垂直溝道的至少一個側表面偏移的掩埋位線圖案；

在所述掩埋位線圖案的內側壁上形成襯層；

通過去除所述垂直溝道的沒有被所述襯層保護的一部分，在所述掩埋位線圖案中形成鑲嵌掩埋位線圖案；以及

在所述鑲嵌掩埋位線圖案中形成金屬化合物掩埋位線，該金屬化合物掩埋位線在所述第一水平方向上延伸并電連接到所述垂直溝道的至少一個側表面。

9.如權利要求1所述的方法，還包括在所述垂直溝道中形成上結區域和下結區域，所述上結區域和所述下結區域通過所述字線彼此垂直地間隔開。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述下結區域與所述掩埋位線同時形成。